发明授权
- 专利标题： 一种高阈值增强型功率器件及其制备方法
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申请号： CN202410256650.6申请日： 2024-03-07
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公开(公告)号： CN117855267B公开(公告)日： 2024-06-21
- 发明人: 武乐可 , 夏远洋 , 李亦衡 , 朱廷刚
- 申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 申请人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢
- 专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人： 江苏能华微电子科技发展有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省苏州市张家港市杨舍镇福新路2号B12幢
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理商 韩雪梅
- 主分类号： H01L29/778
- IPC分类号： H01L29/778 ; H01L29/06 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L21/28 ; H01L21/335
摘要：
本发明公开一种高阈值增强型功率器件及其制备方法，涉及半导体器件制备领域；GaN缓冲层、GaN凹槽层和AlGaN层在Si衬底上由下至上依次外延生长而成；AlGaN层具有第一部分凹槽；p‑AlGaN层设置在第一部分凹槽内；钝化层覆盖AlGaN层和p‑AlGaN层的表面；栅电极放置在栅极凹槽；源电极放置在源极凹槽；源极凹槽从钝化层上的第一区域向下刻蚀至GaN凹槽层内部形成的；漏电极放置在漏极凹槽；漏极凹槽从钝化层上的第二区域向下刻蚀至GaN凹槽层的内部形成的；第一区域与第二区域不同。本发明能够提高功率器件的性能，实现大电流、高阈值电压的目的。
公开/授权文献
- CN117855267A 一种高阈值增强型功率器件及其制备方法 公开/授权日：2024-04-09
IPC分类:
