公开(公告)号：CN116631960B

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202310540438.8

申请日：2023-05-15

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  朱廷刚 ,  武乐可 ,  王强 ,  黄克强 ,  秦佳明 ,  魏鸿源 ,  夏远洋

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件制备方法及GaN HEMT器件，制备方法包括：在蓝宝石衬底上生长缓冲层；在缓冲层上生长GaN通道层；在通道层上生长AlGaN阻挡层，且通道层与阻挡层之间的异质结界面处形成2DEG；从阻挡层向下刻蚀至通道层以形成两个凹槽，并分别将源极电极、漏极电极设置在凹槽中；在阻挡层上设置栅极电极；将蓝宝石衬底研磨至厚度小于或等于350μm，及在GaN HEMT器件上远离蓝宝石衬底的一侧形成钝化层；在钝化层的表面设置热扩散层，且热扩散层与2DEG处的有源器件通道区域在器件厚度方向的投影上至少部分重合，兼顾器件在蓝宝石衬底上的正常运行以及热扩散层的导热系数。

公开(公告)号：CN116031159B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310316493.9

申请日：2023-03-29

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 武乐可 ,  李亦衡 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/872

摘要： 本发明提供了一种低反向漏电准垂直结构GaN肖特基二极管及其制备方法，属于半导体材料技术领域。本发明提供的低反向漏电准垂直结构GaN SBD，在刻蚀后余下N‑GaN层的侧壁及刻蚀平台的部分区域（也即N+GaN表面的部分区域）进行离子注入，将注入区域的GaN变成绝缘体，阻止了电子从侧壁向欧姆电极的流动（即表面漏电），从而降低了反向漏电流，提升了器件的反向耐压。

公开(公告)号：CN115775730A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202310101818.1

申请日：2023-02-13

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 武乐可 ,  朱廷刚 ,  李亦衡

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

摘要： 本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基二极管的制备方法，涉及肖特基二极管技术领域。本发明采用一次性生长P‑GaN的方式，可以实现产业化。在P‑GaN刻蚀过程，N‑GaN暴露出来的表面会受到刻蚀损伤，导致其与后续的肖特基金属接触的界面质量变差，从而会导致器件的反向漏电增加，反向耐压降低，本发明通过覆盖一层薄的AlN薄膜，由于ALD沉积（原子层沉积）的AlN具有晶体结构，与GaN的晶格常数能较好地匹配，因此可以修复刻蚀后N‑GaN表面的刻蚀损伤。本发明将AlN薄膜的厚度控制在4nm以内，薄的AlN层在器件加正向电压时，电子会通过隧穿的方式从N‑GaN进入到肖特基电极，形成电流，从而不影响开启电压。

公开(公告)号：CN115763247A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202310101736.7

申请日：2023-02-13

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 武乐可 ,  李亦衡 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L21/329 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/20

摘要： 本发明提供了一种准垂直结构GaN肖特基势垒二极管及其制备方法，属于二极管制备技术领域。本发明在蓝宝石衬底表面依次外延生长N+GaN层和N‑GaN层；在所述N‑GaN层表面低温生长非掺杂GaN层；所述GaN层不做任何掺杂；所述GaN层的厚度小于5nm；所述低温生长的温度为500~700℃；采用强碱性溶液对所述GaN层进行表面腐蚀，形成平整的GaN层；在所述平整的GaN层表面制作肖特基电极，在需要制作欧姆接触的区域，刻蚀N‑GaN层直至暴露出N+GaN层，在暴露出的N+GaN层表面制作欧姆电极，得到准垂直结构GaN肖特基势垒二极管。本发明制备的GaN SBD具有反向耐压高、正向导通电压低的优点。

公开(公告)号：CN114823655B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202210732002.4

申请日：2022-06-27

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 宋亮 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  武乐可 ,  章涛

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/485 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

摘要： 本发明涉及一种GaN HEMT器件的共源共栅封装结构及方法，包括：Si MOS器件和GaN HEMT器件；Si MOS器件的源极与GaN HEMT器件的栅极通过第一源极通孔、第二导通线、第二栅极通孔连接；Si MOS器件的漏极与GaN HEMT器件的源极通过第一漏极通孔、第一导通线、第一金属柱、第三导通线和第二源极通孔连接；将Si MOS器件的源极引出作为封装结构的源极引脚；将Si MOS器件的栅极引出作为封装结构的栅极引脚；将GaN HEMT器件的漏极引出作为封装结构的漏极引脚。将GaN HEMT器件和Si MOS器件级联，并结合面板级扇出型先进封装技术，提高器件的开关频率。

公开(公告)号：CN114050153A

公开(公告)日：2022-02-15

申请号：CN202111156516.1

申请日：2021-09-30

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 宋亮 ,  武乐可 ,  朱廷刚 ,  李亦衡 ,  章涛

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/492 ,  H01L23/367

摘要： 本发明涉及了一种Cascode增强型级联器件，所述级联器件包括：金属板、SiMOSFET器件和GaNHEMT器件；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件均设置在所述金属板上；所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件通过所述金属板级联连接。本发明将金属板作为所述SiMOSFET器件和所述GaNHEMT器件互联的基础，并作为散热片，无需陶瓷板，在提高了器件的散热性能的基础上，降低了成本。

公开(公告)号：CN118231482B

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410649688.X

申请日：2024-05-24

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 武乐可 ,  李亦衡 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

摘要： 本发明属于功率电子器件技术领域，具体涉及一种GaN肖特基二极管及其制备方法。本发明提供的GaN肖特基二极管包括衬底、设置在衬底上表面的GaN层、AlGaN层、阴极、钝化层和阳极；阴极同时与GaN层和AlGaN层欧姆接触；AlGaN层上表面远离所述阴极的一侧且非边缘的区域设置有多个分离的P‑GaN柱，相邻P‑GaN柱之间填充有NiO层；所述阳极的一部分与所述P‑GaN柱和NiO层肖特基接触。本发明对GaN肖特基二极管的结构和材料进行优化，利用NiO的弱p型半导体性能，降低了正向开启电压；同时利用p‑GaN柱对二维电子气的强耗尽作用，保证了器件具有高的反向耐压，有效提高了GaN肖特基二极管的性能。

公开(公告)号：CN112614778B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202011500550.1

申请日：2020-12-18

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  武乐可 ,  夏远洋 ,  张葶葶 ,  朱友华 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/335 ,  H01L29/49 ,  H01L29/778

摘要： 本发明涉及一种在GaN HEMT器件中形成多功能p‑GaN电极的方法，包括形成外延结构，使二维电子气完全耗尽，对p‑GaN层进行蚀刻，保留用于形成栅极的p‑GaN区域，使二维电子气重新出现，沉积钝化层，在注入电极的位置对钝化层进行蚀刻至势垒层形成空穴，在空穴位置的势垒层上生长附加势垒层、p‑GaN层，并保持二维电子气不耗尽，形成栅极，形成源极、漏极，在p‑GaN层上注入电极，并使注入电极自动连接到漏极，在p‑GaN区域处形成电介质层。一种器件，由本发明方法形成。本发明可以适用于形成常开型GaN基MIS‑HEMT，器件有效缓解“电流崩塌”问题，提高了器件整体性能。

公开(公告)号：CN112635555B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202011506761.6

申请日：2020-12-18

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 李亦衡 ,  武乐可 ,  夏远洋 ,  黄克强 ,  朱友华 ,  朱廷刚

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及一种GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法，包括形成外延结构，在p‑GaN层上沉积钝化层，对钝化层进行蚀刻，仅保留用于形成栅极的p‑GaN区域上方的钝化区域，对p‑GaN层的进行热分解，直至除p‑GaN区域以外的所有p‑GaN层完全去除。一种器件，其包括由GaN HEMT器件中选择性去除GaN的方法形成的结构。本发明的方法通过热分解将GaN完全去除后，下面的AlGaN“停止”层保持不受损，从而保持二维电子气（2DEG）完整性，提升了器件的性能和质量。

公开(公告)号：CN117296152A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202280033278.1

申请日：2022-11-29

申请人： 江苏能华微电子科技发展有限公司

发明人： 朱廷刚 ,  章涛 ,  李亦衡 ,  李继华 ,  武乐可

IPC分类号： H01L27/07 ,  H01L21/8252

摘要： 本发明公开了一种集成式的肖特基器件及制备方法，器件包括二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元，其中，耗尽型器件的源极与二极管单元的负极级联，耗尽型器件的源极与双向截止保护单元级联，耗尽型器件的栅极与二极管单元的正极连接，双向截止保护单元设置在二极管单元的两端；二极管单元、耗尽型器件和双向截止保护单元集成为肖特基集成器件，耗尽型器件的漏极构成肖特基集成器件的阴极，二极管单元的正极构成肖特基集成器件的阳极。本发明利用耗尽型器件、低压二极管、双向截止保护电路集成的肖特基器件同时具有低的导通压降和反向恢复电荷，并且保护低压二极管免受尖峰电压的冲击。