本申请属于功率器件技术领域，提供了一种超结碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片，通过在源极层下方形成与栅极层连接的P型多晶硅层，实现从源极层、P型多晶硅层、电流扩展层、N型漂移区、碳化硅衬底到漏极层的续流通道，使得器件的导通电阻大大低于其体二极管，提高了器件的第三象限性能。并通过在P柱的一侧设置高K介质层可以提升器件的击穿电压，并在P柱的另一侧形成N型漂移区，P柱的引入可以辅助耗尽N型漂移区，如此可以降低高K介质层所需的介质材料的介电常数，由高K介质层吸引N型漂移区的大部分电场线，并且在P柱和N型漂移区之间存在电荷不平衡的情况下也可以避免降低器件的性能。