一种深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件；抽头传输晶体管，连接到光电晶体管；以及存储晶体管，连接到抽头传输晶体管和传输晶体管。存储晶体管包括存储栅电极。存储栅电极包括从衬底的第一面朝向第二面延伸的第一延伸部和第二延伸部，并且第一延伸部和第二延伸部在第二方向上彼此间隔开。