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公开(公告)号：CN112118404B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202010277632.8
申请日：2020-04-08
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H04N25/705
摘要： 一种深度传感器包括：第一像素，包括多个第一光电晶体管，每第一光电晶体管接收第一光电栅极信号；第二像素，包括多个第二光电晶体管，每个第二光电晶体管接收第二光电栅极信号；第三像素，包括多个第三光电晶体管，每个第三光电晶体管接收第三光电栅极信号；第四像素，包括多个第四光电晶体管，每个第四光电晶体管接收第四光电栅极信号；以及光电转换元件，由多个第一至第四光电晶体管中的第一至第四光电晶体管共享。
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公开(公告)号：CN110246852B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
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公开(公告)号：CN117615264A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311051362.9
申请日：2023-08-21
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 陈暎究
IPC分类号： H04N25/70
摘要： 提供一种图像处理设备和图像传感器。图像传感器包括：n个光电二极管，其分别响应于入射光生成电荷并且彼此相邻；第一像素信号输出电路，其由n个光电二极管共享，响应于第一模式信号将n个光电二极管各自的电荷量依次转换为第一像素信号，并且依次输出第一像素信号；以及第二像素信号输出电路，其包括由n个光电二极管共享的存储区域，响应于第二模式信号将一起存储在存储区域中的n个光电二极管的电荷量或与n个光电二极管的电荷量对应的电压转换为第二像素信号，并且输出第二像素信号。
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公开(公告)号：CN115513233A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210620801.2
申请日：2022-06-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种图像传感器包括位于半导体衬底中的像素隔离结构。所述像素隔离结构限定多个像素区域，光电转换区域位于所述半导体衬底中并且位于每个所述像素区域上，浮置扩散区域位于所述半导体衬底中并且与所述光电转换区域间隔开。转移栅电极在每个所述像素区域上设置在所述光电转换区域和所述浮置扩散区域之间。电介质层设置在所述半导体衬底上并且覆盖所述转移栅电极。彼此间隔开的多个有源图案设置在所述电介质层的顶表面上。多个像素晶体管设置在相应的有源图案上。在俯视图中，至少一个所述有源图案与所述像素隔离结构的一部分交叠。
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公开(公告)号：CN115379145A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210429638.1
申请日：2022-04-22
申请人： 三星电子株式会社
摘要： 提供了一种深度传感器，其包括像素和控制像素的行驱动器，像素包括第一分接头、第二分接头、第三分接头和第四分接头、溢流晶体管和光电转换器件。第一分接头、第二分接头、第三分接头和第四分接头中的每一个包括光电晶体管、转移晶体管和读出电路。在全局模式的第一积分时段中，行驱动器激活控制第二分接头的光电晶体管的第二光电栅极信号和控制第三分接头的光电晶体管的第三光电栅极信号。在全局模式的第二积分时段中，行驱动器激活控制第一分接头的光电晶体管的第一光电栅极信号和控制第四分接头的光电晶体管的第四光电栅极信号。
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公开(公告)号：CN111668245A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010149238.6
申请日：2020-03-05
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 公开了一种图像传感器，包括多个像素，多个像素中的至少一个包括：光电二极管，被配置为响应于光而产生电荷；以及设置在基板上的像素电路，并且所述像素电路包括：存储晶体管，被配置为存储由光电二极管产生的电荷；以及转移晶体管，连接在存储晶体管与浮置扩散节点之间，其中，当转移晶体管处于关断状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有第一电势，而当转移晶体管处于接通状态时，存储晶体管与转移晶体管之间的边界区域的电势具有低于第一电势的第二电势。
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公开(公告)号：CN110246852A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910041867.4
申请日：2019-01-16
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 公开了一种三维(3D)图像传感器。该3D图像传感器包括具有上部像素的第一基板。上部像素包括光电元件以及与光电元件连接的第一光电门和第二光电门。第二基板包括与上部像素相对应的下部像素，第二基板沿竖直方向与第一基板间隔开。下部像素包括发送由第一光电门提供的第一信号的第一转移晶体管。第一源极跟随器根据第一信号产生第一输出信号。第二转移晶体管发送由第二光电门提供的第二信号。第二源极跟随器根据第二信号产生第二输出信号。第一接合导体和第二接合导体布置在第一基板和第二基板之间，并且将上部像素与下部像素电连接。
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公开(公告)号：CN107799540A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710780809.4
申请日：2017-09-01
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14647 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14652 , H04N5/332 , H04N9/04 , H01L27/14645 , H01L27/1465
摘要： 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件可以包括：第一传感器，配置为从入射光感测具有在第一波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第一电信号；和第二传感器，配置为从入射光感测具有在不同的第二波长范围内的波长的光并基于所感测的光产生第二电信号。第一传感器和第二传感器可以经由中间连接器彼此电连接，并且第一传感器和第二传感器可以共用经由中间连接器电连接到其的像素电路。第一波长范围和第二波长范围可以分别包括红外波长范围和可见波长范围。第一波长范围和第二波长范围可以包括不同的可见波长范围。
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公开(公告)号：CN103677255A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310395021.3
申请日：2013-09-03
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： G06F3/017 , G06F3/011 , G06F3/0304 , H04N13/204
摘要： 本发明提供了用于提取距识别目标的三维距离信息的方法和装置，其使得能够使用距识别目标的距离信息来正确识别来自用户的手势输入，而且同时使得有可能有效地节省检测手势输入所需的电力。该方法包括：确定识别目标是否存在于预定的范围内；当识别目标存在于预定的范围内时，生成识别目标的3D图像；以及通过使用3D图像计算到识别目标的距离。
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公开(公告)号：CN101419839A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810213357.2
申请日：2008-08-27
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C16/06 , H01L27/115
CPC分类号： G11C16/0483 , G11C11/5628 , G11C16/10
摘要： 本发明提供一种操作三维非易失性存储装置的方法，该方法可提高三维非易失性存储装置的可靠性和效率。操作非易失性存储装置的方法可包括：通过将电荷注入到块的多个存储单元的电荷存储层中来重置非易失性存储装置；通过去除注入到多个存储单元中选择的一个或多个存储单元的电荷存储层中的至少一些电荷来设置非易失性存储装置。
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