发明公开
- 专利标题: 一种空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管及制备方法
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申请号: CN202311708790.4申请日: 2023-12-13
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公开(公告)号: CN117913120A公开(公告)日: 2024-04-19
- 发明人: 殷华湘 , 曹磊 , 李庆坤 , 张青竹
- 申请人: 中国科学院微电子研究所 , 北京知识产权运营管理有限公司
- 申请人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 专利权人: 中国科学院微电子研究所,北京知识产权运营管理有限公司
- 当前专利权人: 中国科学院微电子研究所,北京知识产权运营管理有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市朝阳区北土城西路3号;
- 代理机构: 北京辰权知识产权代理有限公司
- 代理商 史晶晶
- 主分类号: H01L29/06
- IPC分类号: H01L29/06 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L21/28
摘要:
本发明涉及一种空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管及制备方法。空气内侧墙堆叠纳米片环栅晶体管包括:表面具有浅沟槽隔离结构的衬底;设置于所述衬底上方的纳米片堆栈部,其中,所述纳米片堆栈部包括多个纳米片形成的叠层,所述纳米片形成的叠层构成多个导电沟道;环绕式栅极,其环绕所述纳米片堆栈部;源漏区,位于所述纳米片堆栈部的相对的两侧,所述源漏区与环绕式栅极之间设置有侧墙;所述侧墙内部含有多个空腔。本发明具有空腔的侧墙,这样以空气替代部分固态介电材料,大幅降低了器件的寄生电容,并且工艺简单。
IPC分类: