Invention Publication
- Patent Title: 电容器结构和包括该电容器结构的半导体器件
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Application No.: CN202311329628.1Application Date: 2023-10-13
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Publication No.: CN117917950APublication Date: 2024-04-23
- Inventor: 权赫宇 , 金汶浚 , 李准原 , 崔允硕
- Applicant: 三星电子株式会社
- Applicant Address: 韩国京畿道
- Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee: 三星电子株式会社
- Current Assignee Address: 韩国京畿道
- Agency: 中科专利商标代理有限责任公司
- Agent 周祺; 倪斌
- Priority: 10-2022-0135714 20221020 KR
- Main IPC: H10N97/00
- IPC: H10N97/00 ; H10B12/00 ; H01L23/64
Abstract:
一种电容器结构包括：下电极结构，具有位于基板上的下电极和包括电极图案的电极结构，该电极图案沿与基板的上表面实质上垂直的竖直方向堆叠在下电极上；介电图案，接触下电极结构；以及上电极，接触介电图案。
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