本发明公开了基于多晶硅膜的N沟道结型场效应管及制备方法，属于结型场效应管领域，包括原始硅衬底晶圆片，所述原始硅衬底晶圆片上表面掺杂设有P型隐埋层；P型隐埋层以及原始硅衬底晶圆片的表面外延生长设有N‑外延层；N‑型导电沟道光刻掺杂设有P‑型栅极掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P+型背栅掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P型隐埋层连接区；沉积氧化硅介质膜刻蚀形成第一金属铝层互连接触窗口；沉积氧化硅‑氮硅复合介质区刻蚀形成第一金属铝层与第二金属铝层间的互连孔。本发明实现了高输入阻抗、超低的栅极漏电流及极低的栅电极电阻，实现了器件源端极低的寄生电阻，进一步降低背栅电极的电阻。