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公开(公告)号：CN117630789A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311636982.9
申请日：2023-12-01
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了磁平衡式电流传感器零点补偿方法，包括以下步骤：步骤一：设置磁平衡式电流传感器的磁平衡点A；涉及电流传感器技术领域，解决了被测电流较大时，补偿的影响就明显降低技术问题；独立设置补偿绕组和补偿电路，并根据霍尔传感器设置磁平衡式电流传感器的磁平衡点，通过补偿电路向补偿绕组中输入电流，使得开环式磁芯内产生磁场并与磁平衡点中的磁场强度相同，并且利用反馈条路调节霍尔传感器的控制电压至Vo，从而能够使得避免开环式磁芯内的磁场较为微弱时，霍尔传感器的无输出的情况，同时，根据环境温度Th调节补偿电路的输出电流，能够提高该磁平衡式电流传感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN117936589A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410105727.X
申请日：2024-01-25
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 本发明公开了基于多晶硅膜的N沟道结型场效应管及制备方法，属于结型场效应管领域，包括原始硅衬底晶圆片，所述原始硅衬底晶圆片上表面掺杂设有P型隐埋层；P型隐埋层以及原始硅衬底晶圆片的表面外延生长设有N‑外延层；N‑型导电沟道光刻掺杂设有P‑型栅极掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P+型背栅掺杂区；P型掺杂区光刻掺杂设有P型隐埋层连接区；沉积氧化硅介质膜刻蚀形成第一金属铝层互连接触窗口；沉积氧化硅‑氮硅复合介质区刻蚀形成第一金属铝层与第二金属铝层间的互连孔。本发明实现了高输入阻抗、超低的栅极漏电流及极低的栅电极电阻，实现了器件源端极低的寄生电阻，进一步降低背栅电极的电阻。
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公开(公告)号：CN117358544A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311480738.8
申请日：2023-11-08
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了一种低应力压力传感器芯片封装结构的封装工艺，包括以下步骤：步骤一、工作仓一内的涂胶器在壳体的待加工面涂覆上粘接胶层一，然后将待安装的封装衬垫放置于粘接胶层一的上端面，步骤二、工作仓二内的涂胶器在凸台的上端面涂覆上填充胶层，步骤三、封堵柱移动靠近凸柱，注胶管内的胶液通过漏液缺槽向下流动到凸柱的上端作为粘接胶层二，步骤四、电推杆二的伸缩端伸长，推动转动板竖直向下移动，将漏液缺槽内残留的胶液刮除，步骤五、工作仓三内的机械手将待封装的敏感芯体放置于封装衬垫的上端面；本发明可避免部分胶液长时间停留在漏液缺槽内造成固化的情况，从而避免造成漏液缺槽的封堵，影响出胶量。
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公开(公告)号：CN117976726A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410144362.1
申请日：2024-02-01
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
IPC分类号： H01L29/808 , H01L21/337
摘要： 本发明公开了一种基于多晶硅膜的N沟道JFET管及制备方法，属于高性能硅基半导体结型场效应器件技术领域,包括原始硅片，所述原始硅片晶圆片表面上掺杂形成P型隐埋层；原始硅片上外延生长的N型外延层；N型外延层上形成P‑型区；P‑型区内形成N‑型源漏区和N型沟道区；P‑型区内设有N型源漏区，P‑型区内设有多晶硅栅隐埋区；多晶硅膜上表面设有沉积氧化硅介质膜；沉积氧化硅介质膜溅射沉积设有第一金属铝；沉积氧化硅介质膜上表面沉积设有氧化硅‑氮硅复合介质区；氧化硅‑氮硅复合介质区溅射沉积设有第二金属铝。本发明设计高频、低噪声、高输入阻抗和高单位跨导的JFET管，有效降低JEFT管栅电极漏电流IG，减小栅极电极电阻RG和器件源端串联电阻RS。
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公开(公告)号：CN117630789B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202311636982.9
申请日：2023-12-01
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
摘要： 本发明公开了磁平衡式电流传感器零点补偿方法，包括以下步骤：步骤一：设置磁平衡式电流传感器的磁平衡点A；涉及电流传感器技术领域，解决了被测电流较大时，补偿的影响就明显降低技术问题；独立设置补偿绕组和补偿电路，并根据霍尔传感器设置磁平衡式电流传感器的磁平衡点，通过补偿电路向补偿绕组中输入电流，使得开环式磁芯内产生磁场并与磁平衡点中的磁场强度相同，并且利用反馈条路调节霍尔传感器的控制电压至Vo，从而能够使得避免开环式磁芯内的磁场较为微弱时，霍尔传感器的无输出的情况，同时，根据环境温度Th调节补偿电路的输出电流，能够提高该磁平衡式电流传感器的测量精度。
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公开(公告)号：CN221124702U
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202322797863.3
申请日：2023-10-18
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
IPC分类号： G01R19/00
摘要： 本实用新型公开了一种具有零点稳定性的电流传感器，涉及电流传感器技术领域，包括固定座，所述固定座的顶部连接有传感器本体，所述固定座的底部对称开设有底槽，所述底槽的内部设置有螺杆，所述螺杆的外侧连接有从动锥形齿轮，所述从动锥形齿轮的外侧活动啮合有主动锥形齿轮，所述主动锥形齿轮的一侧连接有转柄，工作人员可以根据实际操作时预留孔槽的位置，通过转动螺杆来对固定板的位置进行调整，以此改变装置的固定位置，确保装置可以顺利的固定在外界设置上，提高了装置的灵活性，进一步拓展了装置的安装范围，为工作人员提供了极大的便捷，在不使用时可将固定板收回，收纳方便，不会占用到额外的存储空间。
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公开(公告)号：CN220912334U
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202322742497.1
申请日：2023-10-12
申请人： 安徽亿芯链智能科技发展有限公司
IPC分类号： G01D11/24
摘要： 本实用新型公开了传感器低应力封装衬垫，涉及衬垫技术领域，解决了封装应力对力学类传感器性能影响的技术问题；包括:衬垫基板；第一粘接胶层，其设置在衬垫基板的底部，第一粘接胶层用于将衬垫基板粘接在封装壳体上；凸台，其安装在衬垫基板顶部的中心处：四组凸柱，四组凸柱分别安装在衬垫基板顶部的四角处；第二粘接胶层，其涂覆在凸柱的顶部，第二粘接胶层用于将传感器的敏感芯体粘接在凸柱上；填充胶层，其涂覆在凸台的顶部。本实用新型采用特殊结构的封装衬垫，方便将粘接胶固化产生的应力均匀分布在四组凸柱上，有效降低封装应力对敏感芯体的影响，经仿真及试验验证，封装应力对传感器敏感芯体的影响可降低2倍以上。
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