本公开提供了用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构的方法，其中DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的用于制造DRAM阵列结构的方法包括：在基层上设置停止层和有源层；在有源层中形成沿列方向延伸的多个位线隔离槽和沿行方向延伸的多个字线槽以形成各DRAM单元结构的有源区；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一存储电容器；在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一位线；翻转DRAM阵列结构并且去除基层和停止层；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二位线；以及在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二存储电容器。