发明授权
- 专利标题： 带氧化锌层的基片、氧化锌层的制造方法、光电器件以及光电器件的制造方法
- 专利标题（英）： Substrate with zinc oxide layer and method for producing zinc oxide layer and photovoltaic device and method for producing photovoltaic device
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申请号： CN99100758.1申请日： 1999-01-22
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公开(公告)号： CN1179420C公开(公告)日： 2004-12-08
- 发明人: 荒尾浩三 , 田村秀男 , 远山上 , 园田雄一 , 官本祐介
- 申请人： 佳能株式会社
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人： 佳能株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理商 王健
- 优先权： 025180/1998 1998.01.23 JP; 025181/1998 1998.01.23 JP
- 主分类号： H01L31/04
- IPC分类号： H01L31/04 ; C25D9/04
摘要：
提供一种带氧化锌层的基片，至少氧化锌层设置在支撑基片上，其中氧化锌层从支撑基片侧开始依次包括具有c轴垂直于支撑基片的氧化锌层和c轴向支撑基片倾斜的氧化锌层；以及半导体层形成在带氧化锌层的基片上的光电器件。由此提供具有优良的反射性质和光限制效应，以及高光电转换效率的廉价的光电器件。
公开/授权文献
- CN1230032A 带氧化锌层的基片、氧化锌层的制造方法、光电器件以及光电器件的制造方法、 公开/授权日：1999-09-29
IPC分类:
