发明公开
- 专利标题: KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法
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申请号: CN202410132909.6申请日: 2024-01-31
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公开(公告)号: CN117970723A公开(公告)日: 2024-05-03
- 发明人: 宋旭东 , 何小玲 , 赵炜迪 , 张昌龙 , 宋红岩 , 吴文渊 , 王金亮 , 周海涛 , 左艳彬 , 安雪碧
- 申请人: 桂林百锐光电技术有限公司 , 合肥量芯科技有限公司
- 申请人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号;
- 专利权人: 桂林百锐光电技术有限公司,合肥量芯科技有限公司
- 当前专利权人: 桂林百锐光电技术有限公司,合肥量芯科技有限公司
- 当前专利权人地址: 广西壮族自治区桂林市七星区高新区铁山工业园铁山路20号;
- 代理机构: 北京慕达星云知识产权代理事务所
- 代理商 刘阳河
- 主分类号: G02F1/355
- IPC分类号: G02F1/355 ; C30B33/04 ; C30B29/14
摘要:
本发明公开了KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法,该KTP晶体的并联点触式周期电极图案包括第一电极和第二电极,第一电极和第二电极分别设于KTP晶体相对面上;第一电极包括若干个间隔并排设置的框型电极;第二电极为金属电极;框型电极包括第一带半圆电极部、第二带半圆电极部和条状电极部,第一带半圆电极部通过包括多个等宽空隙间隔的条状电极的条状电极部与第二带半圆电极部电连接;基于KTP晶体的并联点触式周期电极图案的周期极化装置,通过外加脉冲电压对KTP晶体进行高压脉冲极化,并设置极化参数,判断KTP晶体畴反转程度,再通过外加低压直流电的方式继续对KTP晶体进行极化,实现对KTP晶体反转畴的有效调控,提高晶片转换效率。