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公开(公告)号：CN117970723A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410132909.6
申请日：2024-01-31
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 合肥量芯科技有限公司
摘要： 本发明公开了KTP晶体的并联点触式周期电极图案、周期极化装置及方法，该KTP晶体的并联点触式周期电极图案包括第一电极和第二电极，第一电极和第二电极分别设于KTP晶体相对面上；第一电极包括若干个间隔并排设置的框型电极；第二电极为金属电极；框型电极包括第一带半圆电极部、第二带半圆电极部和条状电极部，第一带半圆电极部通过包括多个等宽空隙间隔的条状电极的条状电极部与第二带半圆电极部电连接；基于KTP晶体的并联点触式周期电极图案的周期极化装置，通过外加脉冲电压对KTP晶体进行高压脉冲极化，并设置极化参数，判断KTP晶体畴反转程度，再通过外加低压直流电的方式继续对KTP晶体进行极化，实现对KTP晶体反转畴的有效调控，提高晶片转换效率。
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公开(公告)号：CN118915365A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410964422.4
申请日：2024-07-18
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种周期极化铁电晶体的畴壁调直方法，本发明通过测试极化后样品的压电系数，能够无损判断样品的极化情况，并能够筛选出极化均匀的区域，同时能根据占空比计算结果，判断是否继续进行极化或者终止极化、单畴化后重新极化；通过压电系数变化量，判断畴壁的平直程度，及时调整极化电压大小与时长，精确地控制极化过程，获得高质量的周期极化晶体。
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公开(公告)号：CN107475768A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710917439.4
申请日：2017-09-30
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长大尺寸磷酸铅锂单晶的方法，具体是以铅源和磷酸二氢锂作为水热反应物，置于高压釜中，以锂离子浓度为1-5mol/L的磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，采用温差水热法使水热反应物产生化合反应以生长得到磷酸铅锂单晶。本发明将铅源和磷酸二氢锂在高压釜中在温差水热条件下直接化合反应生长得到磷酸铅锂单晶，反应基础原料无需压制和烧结，工艺更为简单；另一方面，采用磷酸二氢锂溶液和/或磷酸氢二锂溶液作为矿化剂，既不会引入其它杂质，原料利用率也高，矿化剂浓度兼容性好，还能获得大尺寸的磷酸铅锂单晶。
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公开(公告)号：CN105297134B
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201510759743.1
申请日：2015-11-10
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种镓钪共掺氧化锌闪烁单晶及其制备方法。所述的镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶ZnO:GaXScY同时含有Ga3+和Sc3+两种掺杂离子，其中，Ga3+在氧化锌闪烁单晶中的最终掺杂浓度X为1～1000ppm，Sc3+在氧化锌闪烁单晶中的掺杂浓度Y为10～10000ppm。所述的制备方法为以氧化锌为原料，采用水热法生长镓钪共掺杂氧化锌闪烁单晶。本发明所述的镓钪共掺氧化锌闪烁单晶闪烁及物理性能优异，而且易于生长得到大尺寸高质量单晶。
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公开(公告)号：CN107815725B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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公开(公告)号：CN115896917A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211313315.2
申请日：2022-10-25
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 山东省科学院新材料研究所
摘要： 本发明公开了一种制备毫米级纯立方相KTN单晶体的方法，步骤为取KTN原料置于黄金衬套管的底部，然后加入矿化剂溶液；将黄金衬套管密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中进行恒温恒压处理；将电阻炉匀速降温，温度降至100℃后再迅速降温至室温，制得毫米级立方相KTN单晶体。本发明制备的毫米级的纯立方相KTN单晶体能够有效提高制备产品的通光质量，还可以降低晶体内部应力，提高晶体的抗光伤性能。本发明制备的晶体热应力小、缺陷少、均匀性和纯度高。
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公开(公告)号：CN113122908A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110308671.4
申请日：2021-03-23
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种复合YAG晶体的制备方法，属于复合晶体生长技术领域。其包括如下步骤：将纯YAG晶体定向、切割和抛光，制成籽晶后，悬挂于籽晶架上；将水热反应物置于黄金衬套管的底部，再放入矿化剂溶液，然后将籽晶架置于黄金衬套管的顶部，密封后置于高压釜的釜体中；在黄金衬套管和釜体的夹层中加入水，将高压釜密封，再将密封后的高压釜置于电阻炉中，程序升温，经过10d‑15d的生长，再程序降温，打开高压釜，取出黄金衬套管，即得到复合YAG晶体。本发明可以在10d‑15d生长出无明显杂质缺陷、高质量、大尺寸的复合YAG晶体。
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公开(公告)号：CN108796600B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN108796600A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810763846.9
申请日：2018-07-12
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
摘要： 本发明公开了一种水热法生长磷氯铅矿单晶的方法，具体为：取铅源和磷酸二氢盐置于高温条件下烧结，得到陶瓷块，所得陶瓷块置于高压釜中，以氯离子浓度为1‑5mol/L的水溶性氯化物的水溶液作为矿化剂，采用温差水热法以生长得到磷氯铅矿单晶。本发明所述方法大大提高了晶体的生长速度，能够在较短时间内生长得到较大尺寸的磷氯铅矿单晶。
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公开(公告)号：CN107815725A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711313437.0
申请日：2017-12-11
申请人： 桂林百锐光电技术有限公司 , 中国有色桂林矿产地质研究院有限公司
IPC分类号： C30B7/10
CPC分类号： C30B7/10
摘要： 本发明公开了一种具有交变温场的水热结晶装置及使用该装置生长晶体的方法。所述的水热结晶装置包括水热高压釜和，其中，水热高压釜包括釜体，釜体的内腔分为三个部分，由下至上依次分别为第一原料溶解区、恒温生长区和第二原料溶解区；将水热高压釜置于三段式电阻炉中加热时，釜体内腔中各区域的温度均由三段式电阻炉进行控制，其中第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度存在一定温差，恒温生长区的温度介于第一原料溶解区的温度和第二原料溶解区的温度之间；设置两个原料溶解区温度转换的交变周期，当达到该交变周期所示时间时，相互调换两个原料溶解区的温度。采用本发明所述装置和方法可有效提高晶体的水热成核几率和生长速度。
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