Invention Grant
- Patent Title: 一种半导体结构及其热测试方法
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Application No.: CN202410361538.9Application Date: 2024-03-27
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Publication No.: CN117976660BPublication Date: 2024-06-21
- Inventor: 杨道虹 , 陈珍 , 刘淑娟 , 谢冬
- Applicant: 湖北江城实验室
- Applicant Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee: 湖北江城实验室
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- Agency: 北京派特恩知识产权代理有限公司
- Agent 王世璇; 张颖玲
- Main IPC: H01L23/544
- IPC: H01L23/544 ; H01L23/528 ; H01L21/66 ; G01R31/26

Abstract:
公开了一种半导体结构及其热测试方法,半导体结构包括:堆叠结构,堆叠结构包括测试结构以及位于测试结构相对的两侧并与测试结构接触的发热层和感测层,发热层内设置有第一导电层,感测层内设置有第二导电层,第一导电层包括第一输入端和第一输出端,第二导电层包括第二输入端和第二输出端;至少一个第一测试焊盘、至少一个第二测试焊盘、至少一个第三测试焊盘以及至少一个第四测试焊盘,分立设置在堆叠结构的上表面;多个互连结构,在堆叠结构内沿竖直方向延伸延伸;其中,第一测试焊盘和第二测试焊盘通过互连结构分别与第一输入端和第一输出端对应电连接,第三测试焊盘和第四测试焊盘通过互连结构分别与第二输入端和第二输出端对应电连接。
Public/Granted literature
- CN117976660A 一种半导体结构及其热测试方法 Public/Granted day:2024-05-03
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IPC分类: