Invention Publication
- Patent Title: 一种低温CsPbI2Br钙钛矿薄膜的制备及其碳电极光伏电池
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Application No.: CN202410162250.9Application Date: 2024-02-05
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Publication No.: CN117976771APublication Date: 2024-05-03
- Inventor: 段金霞 , 吴永成 , 潘孝鑫 , 陈享 , 龙研 , 李晓庆 , 张军 , 王浩
- Applicant: 湖北大学
- Applicant Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Assignee: 湖北大学
- Current Assignee: 湖北大学
- Current Assignee Address: 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- Agency: 武汉同誉知识产权代理有限公司
- Agent 董明艳
- Main IPC: H01L31/18
- IPC: H01L31/18 ; H01L31/032 ; H01L31/072

Abstract:
本发明公开了一种低温CsPbI2Br钙钛矿薄膜的制备及其碳电极光伏电池,属于新能源技术领域。本发明通过在CsPbI2Br钙钛矿薄膜表面旋涂包含MABr和CsBr的表面处理溶液进行表面处理,实现低温退火条件下的稳定性以及光电转换效率的提升。同时本发明使用低温碳浆料替代昂贵的空穴传输层HTM以及金属电极,既避免了长时间放置金属电极与钙钛矿层相互渗透也大大缩减了实验成本。此外,本发明制备的钙钛矿电池成本低、稳定性显著提高,在湿度25%‑35%的空气中存放21天后仍能保持初始效率的81%,光电效率可达11.04%。
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