无缝隙间隙填充沉积

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摘要：

半导体处理的示例性方法可包括将含硅前驱物提供到半导体处理腔室的处理区域。方法可包括在限定半导体处理腔室的处理区域的表面上沉积含硅层。方法可包括在半导体处理腔室的处理区域内形成含氢前驱物的等离子体。方法可包括在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积含硅材料。

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IPC分类:

C	化学；冶金
C23	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）
C23C16/00	通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C14/00）
C23C16/44	.以镀覆方法为特征的（C23C16/04优先）