发明公开
- 专利标题： 基片处理装置和基片处理方法
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申请号： CN202410235210.2申请日： 2020-01-10
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公开(公告)号： CN118011737A公开(公告)日： 2024-05-10
- 发明人: 川上真一路 , 水之浦宏 , 佐野要平 , 山内刚 , 榎本正志
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理商 龙淳; 刘芃茜
- 优先权： 2019-008674 20190122 JP
- 主分类号： G03F7/16
- IPC分类号： G03F7/16 ; G03F7/30 ; G03F7/38 ; G03F7/20 ; H01L21/67 ; H01L21/677
摘要：
本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
IPC分类:
