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公开(公告)号：CN108695209B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
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公开(公告)号：CN111463147A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010026794.4
申请日：2020-01-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN107870521A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710874335.X
申请日：2017-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , B05D1/005 , B05D1/32 , B05D1/322 , B05D1/36 , G03F7/0043 , G03F7/16 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2002 , G03F7/3021 , G03F7/3057 , G03F7/32 , G03F7/38 , G03F7/70991 , H01L21/0274 , G03F7/30
摘要： 本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。
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公开(公告)号：CN110364459B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201910287505.3
申请日：2019-04-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制部执行以下控制：控制成膜部，以在基板的表面形成覆膜；控制覆膜清洗部，以向基板的周缘部的第一位置供给具有使覆膜溶解的功能的第一药液；以及控制覆膜清洗部，以在被第一药液溶解了的覆膜干燥之后向基板的周缘部的第二位置供给具有使覆膜溶解的功能的第二药液，所述第二位置是比第一位置更靠基板的周缘侧的位置。
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公开(公告)号：CN118011737A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410235210.2
申请日：2020-01-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及基片处理装置和基片处理方法。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN116540505A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310622196.7
申请日：2017-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： G03F7/30
摘要： 本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。
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公开(公告)号：CN111463147B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010026794.4
申请日：2020-01-10
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括：成膜处理部，其在基片上形成含金属的抗蚀剂的覆膜；热处理部，其对形成有上述覆膜并对该覆膜实施了曝光处理的基片进行加热处理；显影处理部，其对实施了加热处理的基片的上述覆膜进行显影处理；和调节控制部，其使各个基片之在形成于基片上的上述覆膜内进行加热处理时反应的水分量的差缩小。本发明能够提高使用了含金属的抗蚀剂的抗蚀剂图案的尺寸稳定性。
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公开(公告)号：CN107870521B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201710874335.X
申请日：2017-09-25
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明在对形成在基板的正面的含有金属的抗蚀剂膜进行显影时、在基板涂敷含有金属的抗蚀剂而形成抗蚀剂膜且对曝光后的该抗蚀剂膜进行显影时，抑制金属附着到基板的周端面和背面侧周缘部。本发明的涂敷、显影方法包括：在基板(W)的正面涂敷含有金属的抗蚀剂(74)而形成抗蚀剂膜(71)，对该抗蚀剂膜(71)进行曝光的步骤；对上述基板的正面供给显影液(77)而对上述抗蚀剂膜(71)进行显影的显影步骤；和在上述显影步骤前，在没有形成上述抗蚀剂膜的基板(W)的周缘部、至少在周端面和背面侧周缘部形成防止与上述显影液(77)接触的保护膜(72)的步骤。
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公开(公告)号：CN110364459A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910287505.3
申请日：2019-04-11
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读记录介质，能够抑制伴随利用含金属覆膜而产生的金属污染。基板处理装置具备：成膜部，其构成为在基板的表面形成含有金属的覆膜；覆膜清洗部，其构成为对基板的周缘部的覆膜进行清洗；以及控制部。控制部执行以下控制：控制成膜部，以在基板的表面形成覆膜；控制覆膜清洗部，以向基板的周缘部的第一位置供给具有使覆膜溶解的功能的第一药液；以及控制覆膜清洗部，以在被第一药液溶解了的覆膜干燥之后向基板的周缘部的第二位置供给具有使覆膜溶解的功能的第二药液，所述第二位置是比第一位置更靠基板的周缘侧的位置。
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公开(公告)号：CN108695209A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810293097.8
申请日：2018-03-30
申请人： 东京毅力科创株式会社
摘要： 本发明提供一种能够抑制伴随含金属覆膜的利用而产生的金属污染的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。涂布/显影装置具备第一保护处理部、成膜部、第一清洗处理部以及控制部。控制部构成为执行以下控制：控制第一保护处理部，使之在晶圆的周缘部形成第一保护膜；控制成膜部，使之在晶圆的表面形成抗蚀膜；控制第一清洗处理部，使之向晶圆的周缘部供给用于去除抗蚀膜的第一清洗液；控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除金属成分的第二清洗液；以及控制第一清洗处理部，使之向该周缘部供给用于去除第一保护膜的第三清洗液。
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