本发明公开了一种基于DPP光源的曝光装置和方法，包括：DPP光源、锆膜、多层膜反射镜和线性光栅，其中：DPP光源用于产生EUV光；锆膜过滤所述DPP光源产生的EUV光；所述多层膜反射镜收集所述DPP光源输出的EUV光，进行反射后垂直入射到所述线性光栅上；垂直入射的EUV光经所述线性光栅发生干涉，并达到待曝光的光刻胶，其中，EUV光在光刻胶平面上的强度分布为三角形分布，强度随位置的变化呈线性。本发明能够通过控制曝光剂量来形成小特征的图案，通过控制曝光计量可以得到特征尺寸25纳米以下的周期性图案，优化光刻胶材料有望实现更小的曝光线宽。