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公开(公告)号：CN118033991A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410362653.8
申请日：2024-03-28
申请人： 上海大学
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明公开了一种基于DPP光源的曝光装置和方法，包括：DPP光源、锆膜、多层膜反射镜和线性光栅，其中：DPP光源用于产生EUV光；锆膜过滤所述DPP光源产生的EUV光；所述多层膜反射镜收集所述DPP光源输出的EUV光，进行反射后垂直入射到所述线性光栅上；垂直入射的EUV光经所述线性光栅发生干涉，并达到待曝光的光刻胶，其中，EUV光在光刻胶平面上的强度分布为三角形分布，强度随位置的变化呈线性。本发明能够通过控制曝光剂量来形成小特征的图案，通过控制曝光计量可以得到特征尺寸25纳米以下的周期性图案，优化光刻胶材料有望实现更小的曝光线宽。
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公开(公告)号：CN118641029A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410869351.X
申请日：2024-07-01
申请人： 上海大学
摘要： 本发明提供一种放电等离子型极紫外光源功率的测量装置及测量方法，所述装置包括：滤光片，用于对DPP型光源出光进行带外滤光，形成滤光后的光束，其位于第一真空腔体与第二真空腔体之间；反射镜，位于第二真空腔体内，用于对滤光后的光束进行带内滤光，形成带内极紫外光束；极紫外光电二极管，用于将带内极紫外光束的光信号转变为电流信号；计算模块，用于根据电流信号和极紫外光电二极管的电流‑功率响应曲线，得到特定立体角下DPP型光源的带内极紫外光功率；并根据特定立体角下DPP型光源的极紫外光功率，得到DPP型光源的极紫外光功率。本发明的装置结构简单，易于搭建实验平台，能够准确、快速地测得DPP型光源的极紫外光功率。
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公开(公告)号：CN118734664A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410799313.1
申请日：2024-06-20
申请人： 上海大学
摘要： 本公开提供一种基于辐射碰撞模型的氙等离子体电子温度确定方法，包括：确定稳态近似状态的原子能级的速率方程；确定Z箍缩聚变中氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型；根据氙等离子体中占据主导地位的粒子反应类型和稳态近似状态的原子能级的速率方程，确定氙等离子体的速率平衡方程；确定相邻能级的布居密度比；根据相邻能级的布居密度比，确定简化的氙等离子体的速率平衡方程；确定谱线强度比值；根据简化的氙等离子体的速率平衡方程、谱线强度比值以及预设的Boltzmann方程，确定氙等离子体电子温度。通过本公开，采用相对光强线比法简便的计算Z箍缩条件下氙等离子体的电子温度，减少数据处理量，并提高数据准确率。
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公开(公告)号：CN118483878A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410677043.7
申请日：2024-05-29
申请人： 上海大学
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供一种极紫外光收集装置和系统，极紫外光收集装置，包括：球面反射镜组，包括多个球面反射镜，所述球面反射镜组中的每个球面反射镜收集一部分极紫外光源射出的极紫外光线；多个反射镜架，所述球面反射镜固定于所述反射镜架上；驱动机构，所述驱动机构驱动所述反射镜架至指定位置和角度，使得每个所述球面反射镜收集的极紫外光线汇聚于同一个像点处。本发明可以在大幅降低收集用光学元件成本的同时，实现较高的极紫外光收集效率。
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