发明公开
- 专利标题: 欧姆接触层、钛酸锶压敏电阻器电极及二者的制备方法
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申请号: CN202410291983.2申请日: 2024-03-14
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公开(公告)号: CN118053638A公开(公告)日: 2024-05-17
- 发明人: 朱晓云 , 陈康 , 李祥 , 陈俊权 , 杨冰喆
- 申请人: 昆明理工大学 , 云南斯铂林新材料有限公司
- 申请人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号;
- 专利权人: 昆明理工大学,云南斯铂林新材料有限公司
- 当前专利权人: 昆明理工大学,云南斯铂林新材料有限公司
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市一二一大街文昌路68号;
- 代理机构: 昆明正原专利商标代理有限公司
- 代理商 程相桂; 陈左
- 主分类号: H01C7/10
- IPC分类号: H01C7/10 ; H01C1/144 ; H01C17/28 ; H01B5/14 ; H01B13/00
摘要:
本发明涉及一种欧姆接触层、钛酸锶压敏电阻器电极及二者的制备方法,属于压敏电阻器领域,本发明将钛酸锶基片浸泡在溶剂型载体中,烘干后在钛酸锶基片印刷Ag‑Zn浆,烧结过程中溶剂型载体与Ag‑Zn浆反应,在银电极膜与钛酸锶基体中间形成50~900nm欧姆接触层,同时银电极的附着力和可焊性达到应用要求。在烧结过程中溶剂型载体不与上层无印刷Ag‑Zn浆的钛酸锶基体发生反应,在烧结过程中完全挥发,无残留。本专利方法的应用,与现行钛酸锶压敏电阻器银电极制备方法对比,具有工艺短、成本低、效率高,节约贵金属的优点。