本申请提供一种InP基DHBT材料结构的制备方法，包括：采用金属有机化学气相沉积MOCVD工艺在衬底上依次生长高掺N型InGaAs集电区接触层、低掺N型InP集电区层、低掺N型InGaAsP能带渐变层、高掺P型InGaAs基区层、低掺N型InP退火覆盖层；采用常压原位退火工艺对低掺N型InP退火覆盖层进行退火处理；在设定生长条件下，在低掺N型InP退火覆盖层上依次生长低掺N型InP发射区层和高掺N型InGaAs发射区接触层；其中，设定生长条件对应的温度小于或等于退火处理过程对应的温度；设定生长条件对应的生长速度大于其余各层的生长速度。本申请在基区和发射区之间设置退火覆盖层，进行常压原位退火处理，并优化退火覆盖层后续层生长条件，有效提高了基区掺C的激活率。