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公开(公告)号：CN118294230A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410374551.8
申请日：2024-03-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： G01N1/28
摘要： 本申请提供一种测试样品的制作方法及测试样品。该制作方法用于制作HEMT类外延材料进行VDP_HALL测试所使用的测试样品，该制作方法包括：手工制作第一预制样品；第一预制样品包括衬底和位于衬底上的外延层；基于预先制作的电极定位模具，将预先制作好的电极材料块，放置在外延层上的定位位置；将放置有电极材料块的第一预制样品进行加热，使电极材料块熔化形成欧姆电极，得到第二预制样品；基于预先制作的化蜡模具，在第二预制样品上覆盖蜡膜；蜡膜覆盖欧姆电极，蜡膜的形状和尺寸与测试样品的外延片的形状和尺寸相同；去除未被蜡膜覆盖的外延层，并去除蜡膜，得到测试样品。本申请可以同时兼顾测试样品一致性、低成本和短周期。
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公开(公告)号：CN118053754A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410057563.8
申请日：2024-01-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/02 , C23C16/30 , C23C16/56
摘要： 本申请提供一种InP基DHBT材料结构的制备方法，包括：采用金属有机化学气相沉积MOCVD工艺在衬底上依次生长高掺N型InGaAs集电区接触层、低掺N型InP集电区层、低掺N型InGaAsP能带渐变层、高掺P型InGaAs基区层、低掺N型InP退火覆盖层；采用常压原位退火工艺对低掺N型InP退火覆盖层进行退火处理；在设定生长条件下，在低掺N型InP退火覆盖层上依次生长低掺N型InP发射区层和高掺N型InGaAs发射区接触层；其中，设定生长条件对应的温度小于或等于退火处理过程对应的温度；设定生长条件对应的生长速度大于其余各层的生长速度。本申请在基区和发射区之间设置退火覆盖层，进行常压原位退火处理，并优化退火覆盖层后续层生长条件，有效提高了基区掺C的激活率。
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公开(公告)号：CN115188658A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210876233.2
申请日：2022-07-25
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供一种图形化氮化铝缓冲层的生长方法及半导体器件。该方法包括：将衬底放入MOCVD设备的反应室内；对反应室内的环境条件进行第一次调整，并向反应室内通入氢气、氮气或氢气和氮气的混合气作为载气，以及向反应室内通入铝源、镓源和氨气，在衬底上生长AlGaN层；持续向反应室内通入载气，停止向反应室内通入铝源和镓源，并对反应室内的环境条件进行第二次调整，对AlGaN层进行刻蚀和重结晶，生成岛状的氮化铝缓冲。本发明通过刻蚀破坏AlGaN层中的Ga‑N键，使得Ga原子从AlGaN层中脱附，并重结晶成图形化的AlN缓冲层材料，使得后续生长氮化物材料变为横向外延，可以减少外延材料的位错和缺陷密度。
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公开(公告)号：CN102651536B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210168458.9
申请日：2012-05-28
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种多叠层隧道级联半导体激光器，属于半导体激光器领域。本发明包括2-4个垂直连接的单层激光器单元；相邻两单层激光器单元之间按照半导体晶体生长规则通过具有特殊结构的隧道结单元层生长连接；隧道结单元包括高掺杂的PN结和按规则生长在PN结上侧或/和下侧的超晶格层。本发明采用带有超晶格的特殊隧道结形成隧道级联半导体激光器，大大提高了半导体激光器的输出光功率，且优化后的隧道结使得半导体激光器中隧道结处的内阻及其压降变小；通过在半导体激光器内加入扩展波导，大大减小了光输出的远场发散角；本发明具有较高的经济效益，有利于高功率半导体激光器的小型化应用。
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公开(公告)号：CN118053932A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410121889.2
申请日：2024-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L31/0312
摘要： 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最大掺杂浓度小于等于电荷层的掺杂浓度；渐变层的最小掺杂浓度大于等于吸收层的掺杂浓度。本发明通过在掺杂浓度差异较大的吸收层与电荷层之间设置渐变层，可通过渐变层的掺杂浓度渐变实现吸收层与电荷层的能带渐变，可有效减少吸收层与电荷层之间电荷累积，提高光生载流子的输运效率，降低体内漏电，降低探测器的暗电流和暗计数率，显著提升光电探测效率。
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公开(公告)号：CN118053757A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410120024.4
申请日：2024-01-29
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/15 , C30B25/18 , C30B29/40
摘要： 本申请适用于半导体技术领域，提供了晶体管外延材料制备方法、场效应管、放大电路及放大器，该方法包括：将GaAs衬底放置于衬底托盘上；在GaAs衬底的上方生长GaAs缓冲层；在GaAs缓冲层上方以第一预设温度生长第一预设数量的超晶格；在生长完第一预设数量的超晶格之后，将第一预设温度降低至有源器件层的生长温度，并且在降温的同时，在第一预设数量的超晶格的上方生长第二预设数量的超晶格；其中，第一预设数量的超晶格和第二预设数量的超晶格共同组成超晶格层；在超晶格层的上方依次生长有源器件层和GaAs接触层。本申请能够保证晶体管外延材料的片内方阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN118053738A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410054141.5
申请日：2024-01-15
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/18 , C23C16/455 , C23C16/40 , C23C16/56
摘要： 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化硅衬底的表面生成氧化镓缓冲层；对反应室抽真空并更换为氢气气氛，并升温至第二预设温度，对氧化镓缓冲层进行第二预设时长的原位退火；对反应室抽真空，并将反应室环境更换至载气为第二载气、Ga源为第二Ga源、氧源为氧气，进行第三预设时长的外延生长，以在氧化镓缓冲层的表面生成氧化镓外延层。本申请能够获得大尺寸高质量的碳化硅基氧化镓外延片，并提高外延片的散热性能。
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公开(公告)号：CN115527854A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211160622.1
申请日：2022-09-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/06
摘要： 本发明适用于二极管技术领域，提供了一种GaAs平面掺杂势垒二极管及其制备方法，所述方法包括：在半绝缘衬底上逐层外延生长第一电极接触层、第一扩散阻挡层、第一非掺层、p型电荷层、掺杂层、第二非掺层、第二扩散阻挡层、上接触过渡层和第二电极接触层；将外延生长后得到的外延片放入退火炉中加入预设正向电压，在氮气的环境下进行退火处理。本发明能够防止Si原子扩散到非掺层而导致器件失效，以及防止P型材料掺杂元素C被MOCVD反应室中的H离子钝化而使得掺杂元素C的掺杂浓度降低。
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公开(公告)号：CN112798823A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011496722.2
申请日：2020-12-17
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明提供了一种用于老化加电的COS夹具，属于半导体激光器生产夹具技术领域，包括限位板、压板、冷却组件，限位板为绝缘体，限位板上设有多个COS封装芯片安装位；压板上对应设有多个电极，相邻电极上分别设有第一探针和第二探针，第一探针和第二探针通过压板压触对应的COS封装芯片，相邻电极上相邻的第一探针和第二探针分别压触同一COS封装芯片的正极和负极，多个电极、第一探针、第二探针及COS封装芯片形成串联电路；冷却组件用于对COS封装芯片进行冷却。本发明提供的用于老化加电的COS夹具，可批量对COS封装的芯片进行加电，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN101771239A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN201010100008.7
申请日：2010-01-24
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01S5/022
摘要： 本发明公开了一种平面阵列激光器封装定位装置，结构中包括基座、设置于基座上的限定激光器芯片和热沉、次热沉的定位装置，关键在于所述的基座为U型，所述的定位装置包括设于基座两侧臂上的竖直方向压紧装置和设于基座两端的带有调节机构的水平定位装置。采用这种平面阵列激光器封装定位装置，实现了激光器芯片和热沉、次热沉一次定位和烧焊，简化了封装工艺步骤，提高了定位精度、封装效率及产品的可靠性。
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