本发明公开了一种表面氧化结合羟基化改性的碳化硅陶瓷膏料及其制备方法，属于碳化硅陶瓷材料改性技术领域。本发明公开的制备方法，首先将不同粒径的SiC粉末进行加热氧化处理，随后将氧化后的SiC粉末进行羟基化改性处理，确定了不同氧化工艺下碳化硅的氧化度，提高粉末表面的羟基基团数量，提高KH560在SiC粉末表面的结合数量和结合强度，提高膏料的分散性并降低膏料的粘度，SiC粉末表面氧化结合羟基化改性与KH560表面处理制备得到的SiC粉末，所配置的膏料，其固化深度提高，过固化宽度降低，具有广阔的应用前景。