发明公开
CN118086867A 成膜方法和成膜装置
审中-公开
- 专利标题： 成膜方法和成膜装置
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申请号： CN202311547604.3申请日： 2023-11-20
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公开(公告)号： CN118086867A公开(公告)日： 2024-05-28
- 发明人: 小野寺聪 , 户根川大和 , 小川淳
- 申请人： 东京毅力科创株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人： 东京毅力科创株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理商 刘新宇; 李靖
- 优先权： 2022-189358 20221128 JP
- 主分类号： C23C16/34
- IPC分类号： C23C16/34 ; C23C16/455 ; C23C16/52 ; C23C16/56 ; C23C16/02
摘要：
本公开涉及一种成膜方法和成膜装置，能够形成不易氧化的SiCN膜。基于本公开的一个方式的成膜方法包括以下工序：吸附工序，对基板供给原料气体来使所述原料气体吸附于所述基板，所述原料气体的分子中具有包含硅原子和碳原子的环状结构；热氮化工序，在包含氮化气体的气氛中对所述基板进行热处理，来将吸附于所述基板的所述原料气体热氮化；以及改性工序，将所述基板暴露于氢等离子体中，来将热氮化后的所述原料气体改性。
IPC分类:
