发明公开
- 专利标题: 一种高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷及其制备方法
-
申请号: CN202410250325.9申请日: 2024-03-05
-
公开(公告)号: CN118125832A公开(公告)日: 2024-06-04
- 发明人: 聂京凯 , 张一铭 , 侯东 , 韩钰 , 祝志祥 , 刘辉 , 姬军 , 许宗超 , 卢理成
- 申请人: 国网智能电网研究院有限公司
- 申请人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 专利权人: 国网智能电网研究院有限公司
- 当前专利权人: 国网智能电网研究院有限公司
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
- 代理机构: 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
- 代理商 纪赞
- 主分类号: C04B35/593
- IPC分类号: C04B35/593 ; C04B35/622 ; C04B35/64 ; C04B35/645
摘要:
一种高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷及其制备方法,属于电工绝缘陶瓷技术领域,克服现有技术中绝缘支柱电阻率稳定性较差的缺陷。本发明高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤:步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料;所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和MgO,Y2O3:Al2O3:MgO:氮化硅的质量比为(0.01‑0.15):(0.01‑0.13):(0.01‑0.1):1;步骤2、制备造粒粉;步骤3、制得陶瓷生坯;步骤4、排胶;步骤5、在常压下进行第一步烧结,随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明制得的高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷具有较高的电阻率稳定性。
IPC分类: