公开(公告)号：CN118125389A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410313820.X

申请日：2024-03-19

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国家电网有限公司华中分部

发明人： 张一铭 ,  韩钰 ,  侯东 ,  聂京凯 ,  卢理成 ,  祝志祥 ,  刘辉 ,  邹建明 ,  刘溟

IPC分类号： C01B21/068

摘要： 一种球形氮化硅粉末的制备方法，属于陶瓷粉末制备技术领域，克服现有技术中高流动性球形氮化硅粉末制备成本高、路径长的缺陷。本发明球形氮化硅粉末的制备方法，包括以下步骤：步骤1、将硅源、碳源和水混合制备浆料；步骤2、将所述浆料进行喷雾造粒，制得造粒粉；步骤3、将所述造粒粉进行氮化；步骤4、将步骤3的产物进行除碳。本发明将氮化硅粉末的合成与球形氮化硅的制备相结合，工艺流程短、成本低。

公开(公告)号：CN118125832A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410250325.9

申请日：2024-03-05

申请人： 国网智能电网研究院有限公司

发明人： 聂京凯 ,  张一铭 ,  侯东 ,  韩钰 ,  祝志祥 ,  刘辉 ,  姬军 ,  许宗超 ,  卢理成

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

摘要： 一种高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷及其制备方法，属于电工绝缘陶瓷技术领域，克服现有技术中绝缘支柱电阻率稳定性较差的缺陷。本发明高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料；所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和MgO，Y2O3：Al2O3：MgO：氮化硅的质量比为(0.01‑0.15)：(0.01‑0.13)：(0.01‑0.1)：1；步骤2、制备造粒粉；步骤3、制得陶瓷生坯；步骤4、排胶；步骤5、在常压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明制得的高电阻率稳定性氮化硅复合陶瓷具有较高的电阻率稳定性。

公开(公告)号：CN118125831A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202410250050.9

申请日：2024-03-05

申请人： 国网智能电网研究院有限公司

发明人： 韩钰 ,  张一铭 ,  侯东 ,  聂京凯 ,  卢理成 ,  祝志祥 ,  刘辉

IPC分类号： C04B35/593 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  C04B35/645

摘要： 一种高介电性能氮化硅复合陶瓷及其制备方法，属于电工绝缘陶瓷技术领域，克服现有技术中绝缘支柱用材料介电性能差的缺陷。本发明高介电性能氮化硅复合陶瓷的制备方法包括以下步骤：步骤1、将氮化硅粉末、烧结助剂、分散剂、粘结剂和水混合制备浆料；所述烧结助剂包括Y2O3、Al2O3和Bi2O3，Y2O3：Al2O3：Bi2O3：氮化硅粉末的质量比为(0.01‑0.15)：(0.01‑0.13)：(0.01‑0.08)：1；步骤2、制备造粒粉；步骤3、压制成型；步骤4、排胶；步骤5、在负压下进行第一步烧结，随后在氮气压力下进行第二步烧结。本发明氮化硅复合陶瓷具有优异的介电性能。

公开(公告)号：CN117169602A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311132624.4

申请日：2023-09-04

申请人： 华北电力大学 ,  国网经济技术研究院有限公司 ,  国网智能电网研究院有限公司 ,  国网四川省电力公司电力科学研究院

发明人： 陈聪聪 ,  高春嘉 ,  齐波 ,  武炬臻 ,  田汇冬 ,  卢理成 ,  李成榕 ,  曹燕明 ,  张涛 ,  贺康航 ,  周明辉

IPC分类号： G01R27/26 ,  G01R27/02

摘要： 本申请提供了金属电极与绝缘介质间的电荷行为特性的获取方法和设备。在根据一个实施例的方法中，针对预定载流子，测量与金属电极相邻的绝缘介质在预定电场强度和预定温度下的体积电导率。针对预定载流子，测量绝缘介质在预定电场强度和预定温度下的相对介电常数。基于用于计算载流子的漂移电流密度的第一计算表达式、以及所测量的绝缘介质的体积电导率，计算从金属电极向绝缘介质注入的预定载流子的漂移电流密度。基于用于计算金属电极的发射电流密度的第二计算表达式、所计算的预定载流子的漂移电流密度、以及所测量的绝缘介质的相对介电常数，获取金属电极与绝缘介质间的预定载流子的注入势垒。

公开(公告)号：CN118073034A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410348479.1

申请日：2024-03-26

申请人： 华北电力大学 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国网智能电网研究院有限公司

发明人： 齐波 ,  杨霄 ,  卢理成 ,  于泽瑄 ,  华名成 ,  李成榕 ,  侯东

IPC分类号： H01B17/14 ,  H01B17/46

摘要： 本发明提出一种利用表面电荷自动调控金属微粒运动的支柱绝缘子，其可用于SF6绝缘式高压直流穿墙套管，包括高压端均压环、绝缘支柱、电荷调控环、接地端均压环，高压端均压环与接地端均压环分别位于绝缘支柱的顶部和底部，电荷调控环为绝缘支柱表面一平滑凸起的部分，包括靠近绝缘支柱底部的底部凸起以及从绝所述缘支柱表面平滑过渡到远离绝缘支柱底部的顶部凸起。电荷调控环沿绝缘支柱轴向由具有不同电学参数的绝缘材料层制成，基于分层极化的原理在不同层级之间积聚不同极性的电荷，利用不同极性电荷对带电金属微粒运动行为的调节作用，使电荷调控环上部金属微粒被推离绝缘支柱，绝缘支柱下部金属微粒被吸附到电荷调控环底部。

公开(公告)号：CN117865689A

公开(公告)日：2024-04-12

申请号：CN202410075878.5

申请日：2024-01-18

申请人： 国网智能电网研究院有限公司 ,  国家电网有限公司 ,  国家电网有限公司华中分部

发明人： 张一铭 ,  侯东 ,  聂京凯 ,  韩钰 ,  祝志祥 ,  刘辉 ,  何强 ,  姬军 ,  许宗超 ,  卢理成 ,  邹建明 ,  刘溟

IPC分类号： C04B35/584 ,  C04B35/622

摘要： 一种氮化硅生坯及其制备方法，属于氮化硅生坯技术领域，克服现有喷雾造粒工艺制备的粒料球形度差、压制成型后氮化硅生坯密度低的问题。本发明氮化硅生坯的制备方法包括以下步骤：将氮化硅微米粉、烧结助剂、分散剂、粘结剂和去离子水混合后球磨，获得浆料；所述烧结助剂、分散剂、粘结剂与氮化硅粉末的质量比为(1×10‑4～0.2)：(1×10‑4～0.25)：(1×10‑4～0.1)：1，浆料的固含量为40～55wt.％；将所述浆料进行喷雾造粒，制得粒料；将粒料压制成型，制得生坯。本发明通过采用喷雾造粒技术并结合氮化硅微米粉、烧结助剂、分散剂、粘结剂的用量比例及浆料的固含量，可制得高密度、均匀性好的生坯。

公开(公告)号：CN118553486A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410622068.7

申请日：2024-05-20

申请人： 华北电力大学 ,  国网浙江省电力有限公司 ,  国网智能电网研究院有限公司

发明人： 齐波 ,  杨霄 ,  卢理成 ,  华名成 ,  于泽瑄 ,  李成榕 ,  侯东

IPC分类号： H01B19/00 ,  H01B19/04

摘要： 本发明公开了属于电力设备技术领域，特别涉及一种基于表面电荷主动控制的金属微粒抑制方法，包括：在纯SF6气体绝缘直流设备内部绝缘支撑结构的表面设计凸起结构，调控凸起结构不同部位表面电荷密度及电荷极性；使绝缘支撑结构表面电场方向及幅值发生改变，从而改变绝缘支撑结构周围金属微粒所受电场力；在电场力的推动下，凸起结构上部的金属微粒被推离支柱，使金属微粒远离支撑结构主绝缘区；凸起结构下部的金属微粒被吸附到凸起结构底部，使金属微粒吸附到底部安全区；在运行工况的直流电场下，金属微粒吸附到凸起结构表面后，凸起结构上部和凸起结构下部积聚不同极性的表面电荷，通过局部沿面放电将金属微粒消除，实现金属微粒抑制。

公开(公告)号：CN117720351A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311787960.2

申请日：2023-12-22

申请人： 国网智能电网研究院有限公司

发明人： 侯东 ,  韩钰 ,  聂京凯 ,  祝志祥 ,  姬军 ,  许宗超 ,  卢理成 ,  陈新

IPC分类号： C04B35/58

摘要： 本发明属于氮化硅陶瓷复合材料技术领域，具体涉及一种气体内绝缘用高阻值氮化硅陶瓷材料、陶瓷支柱，并进一步公开其制备方法。本发明所述高阻值氮化硅陶瓷材料，以α相氮化硅粉为主要原料、β相氮化硅晶须为增强相，并添加烧结助剂和粘结剂，所述氮化硅陶瓷材料有效解决了现有氮化硅陶瓷材料烧结温度高、致密化难度大、高温电阻率不稳定、韧性不足、精密加工困难等问题，在超特高气体绝缘支撑领域具有更高的应用潜力。