半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：分布于不同层的多个晶体管，垂直延伸的字线；晶体管包括沿第一方向延伸的半导体柱，半导体柱第一区、沟道区和第二区；半导体器件还包括间隔不同行的晶体管的沟槽，沟槽中设置有第一隔离层和第二隔离层，第一隔离层分布于字线背离沟道区一侧的侧壁；第一隔离层将沟槽间隔出第一孔和第二孔，第一隔离层、字线与衬底间存在横向孔；第一孔和第二孔通过横向孔连通，第二隔离层在第一孔、第二孔和横向孔中连续延伸。本实施例提供的方案，增大了字线和衬底之间的距离，减少漏电，且通过互相连通的第一孔、第二孔和横向孔，便于一次性刻蚀去除不同行的晶体管之间的字线，降低了工艺难度。