本发明公开了一种硅单晶外延片的表面连续热处理系统及电阻率测量方法，涉及外延片热处理技术领域，工作台，工作台顶部固定连接有处理框，所述处理框内部转动连接有转动盘，所述转动盘顶部绕转动盘圆心环形固定连接有多个固定盘，多个固定盘外侧设置有用于形成密封空间的保温机构；通过启动多个第一液压伸缩杆，多个第一液压伸缩杆推动调节盘转动，当调节盘转动通过滑动槽的作用带动多个移动板相靠近，移动板推动第二密封板进行移动，多个通过第二密封板和第一密封板形成一个可以调节的环形，针对不同的大小的晶片进行调整，便于后期的加热和充气氮气，缩小需要加工空间，提高升温时间，提高热处理的效率。