发明公开
CN118156135A 功率元件及其制作方法
审中-实审
- 专利标题： 功率元件及其制作方法
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申请号： CN202211564843.5申请日： 2022-12-07
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公开(公告)号： CN118156135A公开(公告)日： 2024-06-07
- 发明人: 唐松年 , 陈和泰 , 许修文
- 申请人： 尼克森微电子股份有限公司 , 帅群微电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新北市;
- 专利权人： 尼克森微电子股份有限公司,帅群微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 尼克森微电子股份有限公司,帅群微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新北市;
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 黄艳
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/329 ; H01L29/78 ; H01L29/872 ; H01L27/06
摘要：
本发明公开一种功率元件，包括电基板、外延复合层、多个栅极、钝化层、导电体、漏极及场板。电基板具有第一表面、外延漂移层及多个掺杂区，多个掺杂区位于第一表面下方。外延复合层位于电基板上。栅极位于外延复合层上。钝化层覆盖栅极及外延复合层。导电体贯穿钝化层及外延复合层，且延伸至掺杂面，导电体的宽距大于间隔。漏极贯穿钝化层且延伸至外延层。场板位于钝化层上，遮盖栅极且电性连接导电体。
IPC分类:
