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公开(公告)号：CN118156135A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211564843.5
申请日：2022-12-07
申请人： 尼克森微电子股份有限公司 , 帅群微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/329 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L27/06
摘要： 本发明公开一种功率元件，包括电基板、外延复合层、多个栅极、钝化层、导电体、漏极及场板。电基板具有第一表面、外延漂移层及多个掺杂区，多个掺杂区位于第一表面下方。外延复合层位于电基板上。栅极位于外延复合层上。钝化层覆盖栅极及外延复合层。导电体贯穿钝化层及外延复合层，且延伸至掺杂面，导电体的宽距大于间隔。漏极贯穿钝化层且延伸至外延层。场板位于钝化层上，遮盖栅极且电性连接导电体。
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公开(公告)号：CN118198100A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202211607627.4
申请日：2022-12-14
申请人： 尼克森微电子股份有限公司 , 帅群微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L27/02 , H01L29/36 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 一种功率元件包括电基板、外延层、井区、多个掺杂区、多个沟渠、第一氧化层、第二氧化层、多晶硅、二遮蔽区域、介电层及金属导电层。借由该等结构，使沟渠式金属氧化物半导体场效晶体管具有通道式二极管，具有降低导通电压及开关反应快的功能。本发明另提供一种前述功率元件的制作方法。
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公开(公告)号：CN107305910A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610250234.0
申请日：2016-04-21
申请人： 帅群微电子股份有限公司
摘要： 一种超接面半导体组件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、轻掺杂区、绝缘层及主环形场板。漂移层具有多个n型掺杂区及多个p型掺杂区，多个n型掺杂区与多个p型掺杂区交替地排列形成超接面结构。漂移层定义一组件区及围绕组件区的一终端区。轻掺杂区位于漂移层内部并连接表面，且轻掺杂区具有一靠近组件区的第一末端部及一远离组件区的第二末端部。绝缘层设置于表面上，并至少覆盖终端区。主环形场板设置于绝缘层上，其中主环形场板覆盖第二末端部。
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公开(公告)号：CN109841515B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201711190564.6
申请日：2017-11-24
申请人： 帅群微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 制作半导体元件的方法包含以下操作：提供一基材；形成图案化遮罩层于基材上，图案化遮罩层具有第一开口，第一开口暴露出基材的一部分；移除暴露的基材部分，以在基材中形成凹槽，凹槽具有底部和侧壁；经由第一开口在凹槽的底部和侧壁掺杂第一n型掺杂剂，以形成空穴阻隔层包围凹槽的底部和侧壁；以及形成p型磊晶层于凹槽中。本揭露提供的半导体元件的制作方法，可以简化制程，提高生产效率以及合格率。
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公开(公告)号：CN107305910B
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201610250234.0
申请日：2016-04-21
申请人： 帅群微电子股份有限公司
摘要： 一种超接面半导体组件，其包括基板、设置于基板上的漂移层、轻掺杂区、绝缘层及主环形场板。漂移层具有多个n型掺杂区及多个p型掺杂区，多个n型掺杂区与多个p型掺杂区交替地排列形成超接面结构。漂移层定义一组件区及围绕组件区的一终端区。轻掺杂区位于漂移层内部并连接表面，且轻掺杂区具有一靠近组件区的第一末端部及一远离组件区的第二末端部。绝缘层设置于表面上，并至少覆盖终端区。主环形场板设置于绝缘层上，其中主环形场板覆盖第二末端部。
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公开(公告)号：CN110739351A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201810789783.4
申请日：2018-07-18
申请人： 帅群微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种半导体功率元件及其制造方法。半导体功率元件的制造方法包括：形成半导体层于基材上，半导体层内已至少形成基体区以及位于基体区内的源极区，且源极区的边缘与基体区的边缘之间定义出通道区；形成栅极堆叠结构于半导体层上，并在垂直方向上和通道区重叠；形成至少间隔部，以覆盖栅极堆叠结构的侧壁面，间隔部覆盖源极区的一部分，且源极区的另一部分暴露于上表面；以间隔部以及栅极堆叠结构为屏蔽，执行自对准硅化工艺，以形成接触源极区的硅化物层；以及形成内连线路结构于半导体层上。内连线路结构至少包括层间介电层以及电性连接源极区的源极导电层。硅化物层由源极导电层下方朝栅极堆叠结构的方向延伸至层间介电层下方。
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公开(公告)号：CN109841515A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201711190564.6
申请日：2017-11-24
申请人： 帅群微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 制作半导体元件的方法包含以下操作：提供一基材；形成图案化遮罩层于基材上，图案化遮罩层具有第一开口，第一开口暴露出基材的一部分；移除暴露的基材部分，以在基材中形成凹槽，凹槽具有底部和侧壁；经由第一开口在凹槽的底部和侧壁掺杂第一n型掺杂剂，以形成空穴阻隔层包围凹槽的底部和侧壁；以及形成p型磊晶层于凹槽中。本揭露提供的半导体元件的制作方法，可以简化制程，提高生产效率以及合格率。
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