本发明提出一种半导体激光器及其制作方法，半导体激光器包括：底座；巴条阵列，设在底座上，巴条阵列包括沿第一方向交替连接的巴条和陶瓷镂空热沉片，陶瓷镂空热沉片的表面镀有金属层；侧端热沉，设在底座上并与巴条阵列在第一方向上的两端连接。本发明通过在巴条之间设置陶瓷镂空热沉片替代现有的钨铜热沉，陶瓷镂空热沉片的硬度、强度、刚度和韧性等机械性能优异，能够比钨铜热沉的厚度制作得更薄，而且不会变形，因此巴条和相邻的陶瓷镂空热沉片组成的巴条单元的厚度可以大大缩减，使得在一定空间内巴条并排安装的数量得以增加，激光器输出的功率密度得以提高。