一种降低沟槽栅氧电场的碳化硅MOSFET器件及制备方法，涉及半导体技术领域。沟槽栅碳化硅MOSFET由于沟槽栅氧底部拐角的界面电场集中，以及栅氧的高界面态，导致器件在运行过程中栅氧层易产生击穿失效，大幅影响着器件的使用可靠性。本发明在沟槽栅氧底部设有一层浓度较浅的N‑区，这层浅N‑区完全将沟槽底部包裹，帮助PN结在沟槽栅氧底部进行耗尽，避免了电场集中，从而降低了器件沟槽栅氧的击穿失效概率，提高器件可靠性。根据仿真验证，本发明结构将原本聚集于沟槽栅氧底部拐角的电场转移到了浅N‑区，最大场强数值也降低了近60%。