发明公开
CN118198100A 功率元件及其制作方法
审中-实审
- 专利标题： 功率元件及其制作方法
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申请号： CN202211607627.4申请日： 2022-12-14
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公开(公告)号： CN118198100A公开(公告)日： 2024-06-14
- 发明人: 唐松年 , 陈和泰 , 许修文
- 申请人： 尼克森微电子股份有限公司 , 帅群微电子股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新北市;
- 专利权人： 尼克森微电子股份有限公司,帅群微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 尼克森微电子股份有限公司,帅群微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新北市;
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 黄艳
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; H01L27/02 ; H01L29/36 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
一种功率元件包括电基板、外延层、井区、多个掺杂区、多个沟渠、第一氧化层、第二氧化层、多晶硅、二遮蔽区域、介电层及金属导电层。借由该等结构，使沟渠式金属氧化物半导体场效晶体管具有通道式二极管，具有降低导通电压及开关反应快的功能。本发明另提供一种前述功率元件的制作方法。
IPC分类:
