本发明涉及光突触模拟，更具体的说是一种自驱动宽带光突触器件及其制备方法，包括绝缘衬底和位于衬底表面的窄带隙二维半导体层，所述窄带隙二维半导体层表面两侧设置有与窄带隙二维半导体层接触面积不同的两个金属电极，所述金属电极材料的功函数大于窄带隙二维半导体层材料的费米能级，使得在金属电极和窄带隙二维半导体层的界面处可以形成肖特基接触，窄带隙二维半导体层作为沟道材料，选用具有硒空位缺陷的硒氧铋化合物(Bi2O2Se)；在无须外部供电条件下，实现了从紫外光到近红外光谱的宽探测光谱范围和高响应度的光探测性能。