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公开(公告)号：CN115948798B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202211424792.6
申请日：2022-11-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种晶圆级单晶石墨烯异质结及其直接生长方法，属于二维材料异质结制备技术领域。本发明解决了现有晶圆级单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜制备困难的问题。本发明采用化学气相沉积法，在单晶金属催化剂表面，先生长六方氮化硼，然后在其上表面和下表面分别生长石墨烯，形成单晶石墨烯/六方氮化硼/石墨烯异质结薄膜，且生长的六方氮化硼和石墨烯均为单晶结构，且层数从单层到多层均可以控制，石墨烯异质结尺寸由金属催化剂的尺寸决定，可达晶圆级。
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公开(公告)号：CN119533751A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411710150.1
申请日：2024-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/08 , H10N30/30 , H10N30/85 , H10N30/082 , H10N30/081 , H10N30/06 , H10N30/80 , H10N30/87
Abstract: 本发明公开了一种基于In2Se3/InSe垂直异质结的压电型气压传感器及其制备方法与应用，属于传感仪器构建技术领域。本发明以In2Se3/InSe垂直异质结薄膜作为气压敏感层制备了压电型气压传感器，气压带来的应力变化将改变In2Se3/InSe垂直异质结的能带结构，从而产生压电电压。这一变化可以通过电荷放大器检测其电压变化来进行监测，从而实现对微小气压变化的高灵敏度响应。本发明的压电型气压传感器体积小、灵敏度高，为高精度气压检测提供了一种简单、灵敏且稳定的设备及检测方法。
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公开(公告)号：CN118332873A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410592120.9
申请日：2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C20/30 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体的说是一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法，步骤S1：基于COMSOL仿真软件建立异质结薄膜复杂应力状态下的模型，仿真获取异质结薄膜内应力、应变信息；步骤S2：在Materials Studio软件中建立隧穿异质结多层晶体模型，调用CASTEP模块基于第一性原理对晶体模型进行几何优化；步骤S3：将COMSOL仿真软件获取的异质结薄膜内应力分布信息带入CASTEP模块中进行能带结构计算；步骤S4：获得隧穿势垒高度的数值大小，从而获取隧穿电流的改变。本发明将多种模拟计算方法结合，依次进行宏观力学分析和微观电子状态分析，解决了在复杂宏观应力状态下，现有方法无法实现异质结隧穿电流跨尺度模拟研究的技术难题。
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公开(公告)号：CN115683440B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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公开(公告)号：CN115683440A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211444804.1
申请日：2022-11-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明是一种高分辨力石墨烯异质结气压传感器。本发明涉及压力传感器设计技术领域，本发明利用石墨烯/六方氮化硼/石墨烯(G/h‑BN/G)垂直异质结薄膜作为承压隔膜，传感器衬底上具有微纳米级阵列化凹腔结构，在气压的作用下，可使G/h‑BN/G薄膜产生局域化内应力，G/h‑BN/G薄膜局域化内应力将改变垂直异质结薄膜的能带结构，使上下两层石墨烯之间的隧道电流产生变化，从而反映外部气压的变化。所述的石墨烯异质结气压传感器的原理是基于隧道效应的。所述的传石墨烯异质结气压感器隧道电流对异质结所受的内应力极度敏感，因此，可以实现传感器对气压高分辨力的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119549476A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411669186.X
申请日：2024-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AFM热探针扫描技术的非热敏材料微区界面纯净化方法，本发明是要解决在转移敏感材料及电极材料，制造传感器的过程中，有机聚合物残余引起的敏感材料与电极接触电阻过大的技术问题。本发明以AFM热探针扫描技术为基础，根据AFM热探针释放瞬时热量可以去除聚合物的基本原理，提出了使用热探针扫描技术去除敏感材料表面有机聚合物残余，提高敏感材料与电极材料接触微区界面纯净化方法，实现了敏感材料转移过程中有机聚合物残余的精确去除，达到了微区界面纯净化的目的，进而提高传感器性能。
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公开(公告)号：CN117783219A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311689029.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 传感器敏感模块、氨气传感器和氨气中氨分子浓度检测方法，涉及气体传感器设计理论与方法研究技术领域。为解决现有技术中，针对氨气传感器的性能提升研究遇到瓶颈，现有方案中，敏感材料的制备过程复杂，需要特殊的实验条件和设备，以及单原子催化剂的制备和修饰过程较为复杂，需要精确控制催化剂的分散度和活性位点的数量的技术问题，本发明提供的技术方案为：传感器敏感模块，所述模块包括：中央电极，和设置在所述中央电极上表面的敏感材料；所述中央电极的周围设置有加热电极，所述加热电极围绕所述中央电极设置。所述中央电极为叉指电极。可以应用于需要对氨气浓度进行精确测量的工作中。
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公开(公告)号：CN118332873B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410592120.9
申请日：2024-05-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/23 , G16C20/30 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及半导体集成电路制造领域，更具体的说是一种应力作用下的异质结隧穿电流模拟研究方法，步骤S1：基于COMSOL仿真软件建立异质结薄膜复杂应力状态下的模型，仿真获取异质结薄膜内应力、应变信息；步骤S2：在Materials Studio软件中建立隧穿异质结多层晶体模型，调用CASTEP模块基于第一性原理对晶体模型进行几何优化；步骤S3：将COMSOL仿真软件获取的异质结薄膜内应力分布信息带入CASTEP模块中进行能带结构计算；步骤S4：获得隧穿势垒高度的数值大小，从而获取隧穿电流的改变。本发明将多种模拟计算方法结合，依次进行宏观力学分析和微观电子状态分析，解决了在复杂宏观应力状态下，现有方法无法实现异质结隧穿电流跨尺度模拟研究的技术难题。
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公开(公告)号：CN118231510A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410386495.X
申请日：2024-04-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光突触模拟，更具体的说是一种自驱动宽带光突触器件及其制备方法，包括绝缘衬底和位于衬底表面的窄带隙二维半导体层，所述窄带隙二维半导体层表面两侧设置有与窄带隙二维半导体层接触面积不同的两个金属电极，所述金属电极材料的功函数大于窄带隙二维半导体层材料的费米能级，使得在金属电极和窄带隙二维半导体层的界面处可以形成肖特基接触，窄带隙二维半导体层作为沟道材料，选用具有硒空位缺陷的硒氧铋化合物(Bi2O2Se)；在无须外部供电条件下，实现了从紫外光到近红外光谱的宽探测光谱范围和高响应度的光探测性能。
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公开(公告)号：CN117783244A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311689032.2
申请日：2023-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 传感器敏感模块、钌岛增强氨气传感器和氨气中氨分子检测方法，涉及气体传感技术领域。为解决现有技术中存在的，现今氨气传感器的研究中，对于提高灵敏度遇到了新的瓶颈，因为金属氧化物纳米颗粒的活性位点有限，不能充分催化氨气分子的分解的技术问题，本发明提供的技术方案为：传感器敏感模块，所述模块包括：底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、连接所述沟道材料层的漏极材料、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层。所述底栅极材料层、起隔绝作用的介电层2、沟道材料层、起隔绝用作的介电层1和设置在所述介电层表面的敏感材料层依次紧密层叠。可以应用于医疗诊断、空气质量检测、化工厂安全预警等领域。
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