发明公开
- 专利标题： 一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置
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申请号： CN202410324491.9申请日： 2024-03-20
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公开(公告)号： CN118248743A公开(公告)日： 2024-06-25
- 发明人: 黄杰 , 李正亮 , 宁策 , 胡合合 , 姚念琦 , 赵坤 , 李菲菲 , 付续 , 黄睿 , 郭晖
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构： 北京同达信恒知识产权代理有限公司
- 代理商 王迪
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/34
摘要：
本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置，该薄膜晶体管通过将有源层设置在源极和漏极上方，即本发明在制作薄膜晶体管时，先制作源极和漏极，再制作有源层，这样图形化源极和漏极的过程中刻蚀液不会损伤有源层，并且栅极有栅绝缘层的保护，也不会受源极和漏极刻蚀液的影响，因此本发明实施例提供的薄膜晶体管不会产生源极和漏极刻蚀液损伤其它膜层的问题。因此，相较于背沟道刻蚀型薄膜晶体管，本发明提供的薄膜晶体管的结构比较稳定，薄膜晶体管的性能大大提升。
IPC分类:
