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公开(公告)号：CN117832287A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410009954.2
申请日：2024-01-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H10K59/13 , H10K71/00
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及其制备方法、显示装置，薄膜晶体管包括衬底，第一金属层位于衬底一侧，第一金属层包括栅极，第一绝缘层位于第一金属层背离衬底一侧，有源层位于第一绝缘层背离衬底一侧，有源层包括第一半导体子层和第二半导体子层，第二半导体子层位于第一半导体子层背离衬底一侧，第一半导体子层材料载流子迁移率大于第二半导体子层材料载流子迁移率，有源层包括沟道及位于沟道两侧的第一区域和第二区域，第二金属层位于有源层背离衬底一侧，第二金属层包括第一极和第二极，第一极和第二极分别与第一区域和第二区域耦接。本公开实施例可以有效避免对第一半导体子层的刻蚀损伤，提升器件性能。
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公开(公告)号：CN118248743A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410324491.9
申请日：2024-03-20
申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方技术开发有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/34
摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置，该薄膜晶体管通过将有源层设置在源极和漏极上方，即本发明在制作薄膜晶体管时，先制作源极和漏极，再制作有源层，这样图形化源极和漏极的过程中刻蚀液不会损伤有源层，并且栅极有栅绝缘层的保护，也不会受源极和漏极刻蚀液的影响，因此本发明实施例提供的薄膜晶体管不会产生源极和漏极刻蚀液损伤其它膜层的问题。因此，相较于背沟道刻蚀型薄膜晶体管，本发明提供的薄膜晶体管的结构比较稳定，薄膜晶体管的性能大大提升。
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公开(公告)号：CN118367029A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202310076431.5
申请日：2023-01-17
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明实施例公开一种阵列基板、显示面板及显示装置。在一个具体实施方式中，该阵列基板包括衬底及在衬底上依次层叠设置的薄膜晶体管的第一极、介质层、有源层、栅绝缘层和薄膜晶体管的栅极，有源层与第一极连接，介质层开设有第一过孔，有源层包括沟道部，至少部分沟道部为有源层的形成在第一过孔内的部分，栅极在衬底上的正投影与沟道部在衬底上的正投影存在交叠；其中，阵列基板还包括设置在第一极与介质层之间的缓冲层，和/或，第一极在衬底上的正投影与栅极在衬底上的正投影不存在交叠。该实施方式可减小垂直TFT结构中TFT的例如源极的第一极与栅极之间的寄生电容，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN116670744A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180004250.0
申请日：2021-12-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
发明人： 黄睿
IPC分类号： G09F9/30
摘要： 本公开是关于一种显示面板及显示装置，显示面板包括设于外围区的至少一个传感模块，传感模块包括至少一个传感单元，传感单元包括感测晶体管，感测晶体管的第一端接收电信号，感测晶体管的栅极接收第一控制信号，感测晶体管的第二端输出感光信号。感测晶体管的接收第一控制信号时，感测晶体管的栅极设为关闭状态，在受光照时，感测晶体管的漏极输出的电压会增大，读取电压变化量作为感光信号，根据对不同波长的响应结果结合常见环境光的光谱特征，完成对环境光进行识别。基于此功能，可对显示色温进行优化，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN113611212B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110873013.X
申请日：2021-07-30
申请人： 北京京东方显示技术有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
摘要： 本申请公开了一种光接收传感器、显示面板和电子设备。光接收传感器包括：感光元件和像素驱动电路。像素驱动电路包括源极跟随器和増频子电路。源极跟随器连接感光元件以根据感光元件的电荷产生电信号。増频子电路连接源极跟随器，以增加像素驱动电路的采样频率。本申请的光接收传感器、显示面板和电子设备通过在光接收传感器的像素驱动电路中加入增频子电路的设计，实现电路频率自适应调整，可以在保证面积的前提下有效增强光接收传感器的频率特性，实现高频低误码率的设计。
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公开(公告)号：CN116547817A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202180003781.8
申请日：2021-12-02
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L31/032
摘要： 一种光电传感器和基板，该光电传感器包括光电转换层(103)、第一电极(101)和第二电极(102)，第一电极(101)设置在光电转换层(103)的一侧，第二电极(102)设置在光电转换层(103)的一侧，且与第一电极(101)间隔；其中，第一电极(101)和第二电极(102)配置为驱动光电转换层(103)，在垂直于光电转换层(103)的表面的方向上，第一电极(101)和第二电极(102)分别与光电转换层(103)重叠，光电转换层(103)包括氧化物半导体材料。在上述光电传感器中，光电转换层采用氧化物半导体材料，具有较高的信号选择比；另外，光电传感器的制作过程与具有基于氧化物半导体作为有源层的TFT的制作过程相兼容，因此可以简化光电传感器用于基板时的制备工艺。
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公开(公告)号：CN115863440A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211515769.8
申请日：2022-11-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/423 , G02F1/1368
摘要： 本公开提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，薄膜晶体管包括：设置在衬底上的栅极、有源层和源极，所述栅极设置在所述有源层远离所述衬底的一侧；所述有源层包括：第一导电部、第二导电部以及位于二者之间的沟道部；所述源极包括：朝向所述衬底的第一表面、背离所述衬底的第二表面以及连接在二者之间并朝向所述沟道部的第一侧面；缓冲层，设置在所述源极远离所述衬底的一侧，所述缓冲层上设置有容纳孔，所述容纳孔暴露出所述第一侧面的至少一部分；其中，所述沟道部的至少一部分位于所述所述容纳孔的侧壁上，所述第一导电部与所述第一侧面接触；栅绝缘层，设置在所述有源层所在层与所述栅极所在层之间。
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公开(公告)号：CN110265484B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201910563193.4
申请日：2019-06-26
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/32 , H01L27/12 , G02F1/1368
摘要： 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，用于解决薄膜晶体管漏电流高的问题。薄膜晶体管，包括衬底，还包括：第一电极，设置在衬底上；有源层，包括层叠设置的第一掺杂层、半导体层以及第二掺杂层；第一掺杂层设置在第一电极远离衬底一侧，且与第一电极电连接；第一掺杂层和第二掺杂层互为电子掺杂层和空穴掺杂层；栅绝缘层，设置在有源层远离衬底一侧；栅绝缘层上设置有露出有源层的第一过孔；栅极设置在栅绝缘层远离衬底一侧；栅极与有源层并排设置，栅极朝向有源层的第一侧面所在平面为参考平面，半导体层在参考平面上的正投影位于栅极在参考平面上的正投影内；第二电极，设置在栅极远离衬底一侧，与有源层电连接。
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公开(公告)号：CN109891487B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201980000104.3
申请日：2019-01-29
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： G09G3/3208
摘要： 一种显示基板、显示面板、显示基板的制备方法及驱动方法，该显示基板包括：衬底基板、像素电路和光敏单元。像素电路和光敏单元设置在衬底基板上，像素电路包括第一晶体管，光敏单元在衬底基板上的正投影与第一晶体管在衬底基板上的正投影至少部分交叠。
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公开(公告)号：CN113795920A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202080000199.1
申请日：2020-02-28
申请人： 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H01L27/12
摘要： 一种探测基板、其制作方法及平板探测器，包括：衬底基板(100)；晶体管(104)，位于衬底基板(100)之上；光电转换器件(105)，位于衬底基板(100)之上，光电转换器件(105)的底电极(1051)与晶体管(104)电连接；偏压线(103)，偏压线(103)位于光电转换器件(105)远离衬底基板(100)的一侧，且与光电转换器件(105)的顶电极(1052)电连接；绝缘保护层(106)，位于偏压线(103)和光电转换器件(105)远离衬底基板(100)的一侧，绝缘保护层(106)与光电转换器件(105)的顶电极(1052)直接接触。
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