公开(公告)号：CN118857353A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410868661.X

申请日：2024-06-28

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

发明人： 李菲菲 ,  崔钊 ,  宁策 ,  李正亮 ,  胡合合 ,  黄杰 ,  姚念琦 ,  贺家煜 ,  赵坤 ,  付续

IPC分类号： G01D5/48

摘要： 本申请提供了一种超声波传感器及其制备方法、超声波成像器，涉及传感器技术领域，旨在提高超声波传感器的性能。该超声波传感器包括衬底及设置于衬底上的多个超声波传感单元，每个超声波传感单元包括层叠的第一堆叠结构、第二堆叠结构和超声波换能器，第二堆叠结构和超声波换能器设置于第一堆叠结构的远离衬底的一侧。第一堆叠结构包括第一晶体管，第二堆叠结构包括第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管与超声波换能器电连接。上述超声波传感器可应用于超声波成像器中，以实现图像的采集和生成。

公开(公告)号：CN118248743A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410324491.9

申请日：2024-03-20

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方技术开发有限公司

发明人： 黄杰 ,  李正亮 ,  宁策 ,  胡合合 ,  姚念琦 ,  赵坤 ,  李菲菲 ,  付续 ,  黄睿 ,  郭晖

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、显示基板及显示装置，该薄膜晶体管通过将有源层设置在源极和漏极上方，即本发明在制作薄膜晶体管时，先制作源极和漏极，再制作有源层，这样图形化源极和漏极的过程中刻蚀液不会损伤有源层，并且栅极有栅绝缘层的保护，也不会受源极和漏极刻蚀液的影响，因此本发明实施例提供的薄膜晶体管不会产生源极和漏极刻蚀液损伤其它膜层的问题。因此，相较于背沟道刻蚀型薄膜晶体管，本发明提供的薄膜晶体管的结构比较稳定，薄膜晶体管的性能大大提升。