发明公开
- 专利标题： 分栅式闪存器件及其制备方法
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申请号： CN202410282150.X申请日： 2024-03-12
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公开(公告)号： CN118251004A公开(公告)日： 2024-06-25
- 发明人: 张高明 , 于涛
- 申请人： 华虹半导体(无锡)有限公司 , 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- 专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 华虹半导体(无锡)有限公司,上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区新洲路30号;
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理商 崔莹
- 主分类号： H10B41/30
- IPC分类号： H10B41/30 ; H10B41/40
摘要：
本申请提供一种分栅式闪存器件及其制备方法，其中在制备方法中，通过在引出区形成第一光刻胶层，可以避免引出区第二开口中的擦除栅被刻蚀，只刻蚀存储区的擦除栅和ONO层，使得引出区的擦除栅后续可以直接通过源线多晶硅、第一导电插塞直接从第二开口位置(各存储单元的浮栅层内侧)引出，不需要通过源线多晶硅材料在端头引出区的浮栅层的外侧引出，缩小了引出区的占用面积，从而缩小了存储单元(CELL)的面积，提高了器件的集成度。
