发明授权
CN1182561C 场致发射型电子源及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题: 场致发射型电子源及其制造方法
- 专利标题(英): Field emission electron source and method for making the same
-
申请号: CN99120728.9申请日: 1999-09-24
-
公开(公告)号: CN1182561C公开(公告)日: 2004-12-29
- 发明人: 菰田卓哉 , 櫟原勉 , 相泽浩一 , 越田信义
- 申请人: 松下电工株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电工株式会社
- 当前专利权人: 松下电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 上海专利商标事务所
- 代理商 孙敬国
- 优先权: 272342/1998 1998.09.25 JP; 115707/1999 1999.04.23 JP
- 主分类号: H01J1/32
- IPC分类号: H01J1/32 ; H01J9/02
摘要:
一种场致发射型电子源及其制造方法,该场致发射型电子源具有导电性基板;在导电性基板一表面侧形成的强电场漂移层;在该强电场漂移层上形成导电性薄膜构成的表面电极,表面电极相对于导电性基板作为正极,通过施加电压从导电性基板注入的电子在强电场漂移层漂移,经表面电极进行发射,所述强电场漂移层至少包含:基本上垂直于导电性基板主表面排列的柱状第1半导体单元;介于所述第1半导体单元间纳米级的、由半导体微结晶单元构成的第2半导体单元;形成在所述第2半导体单元表面、膜厚比所述第2半导体单元的结晶粒径小的绝缘膜。
公开/授权文献
- CN1249525A 场致发射型电子源 公开/授权日:2000-04-05