发明公开
- 专利标题: 稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法
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申请号: CN202410363410.6申请日: 2024-03-28
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公开(公告)号: CN118256868A公开(公告)日: 2024-06-28
- 发明人: 刘苗 , 李景辉 , 孙本双 , 何季麟 , 刘洋 , 王成铎 , 陈杰 , 王之君 , 扈百直 , 曾学云
- 申请人: 郑州大学 , 中原关键金属实验室
- 申请人地址: 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号;
- 专利权人: 郑州大学,中原关键金属实验室
- 当前专利权人: 郑州大学,中原关键金属实验室
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市高新技术开发区科学大道100号;
- 代理机构: 北京卫智易创专利代理事务所
- 代理商 朱春野
- 主分类号: C23C14/08
- IPC分类号: C23C14/08 ; C04B35/453 ; C04B35/622 ; C23C14/35 ; C23C14/54 ; C30B29/22 ; C30B23/00 ; H01B5/14 ; H01B13/00
摘要:
本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法;多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到,其中,稀土的含量为0.1~5wt.%,氧化铝的含量为2wt.%,氧化锌的含量为93~98wt.%;多晶薄膜材料的厚度为50~500nm,可见光透过率为85~95%,电阻率为1×10‑4~9×10‑4Ω·cm;制备方法包括步骤:S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合,得到混合粉体;S2、混合粉体压制、烧结得到靶材;S3、以得到的靶材为溅射靶材,在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异,且稳定性好,可以媲美ITO材料,满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求;且制备方法简单,工艺参数易于调控,适合工业化生产。
IPC分类: