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公开(公告)号：CN118344176A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410267577.2
申请日：2024-03-08
IPC分类号： C04B38/06 , C04B35/457 , C04B35/622
摘要： 本发明属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。
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公开(公告)号：CN118255385A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410407494.9
申请日：2024-04-07
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明属于无机材料制备技术领域，公开了一种丝状纳米氧化镓及其制备方法，用以提出一种新的丝状纳米氧化镓的制备方法。本发明以碳酸氢钠为沉淀剂，通过将其滴加至镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温法、降温处理后得到丝状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得丝状纳米氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种高长径比丝状纳米粉末材料。
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公开(公告)号：CN118026665A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410243070.3
申请日：2024-03-04
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C23C14/34 , C23C14/32 , C23C14/08
摘要： 本发明实施例公开的用于RPD薄膜的氧化锡镓陶瓷靶材的制备方法，包括步骤：S1、取氧化锡镓废靶若干，在稀盐酸溶液中浸泡处理；S2、浸泡处理后的氧化锡镓废靶研磨成粉料，选取粒度小于80～200目的粉料为细颗粒料，选取粒度小于20～40目、大于80～100目的粉料为粗颗粒料；S3、将粗颗粒料与细颗粒料以体积比3～8:1～5混合，与聚乙烯醇水溶液混匀，得到颗粒表面附着有聚乙烯醇的粉料；S4、步骤S3得到的粉料模压成型，得到靶材素坯；S5、靶材素坯等静压压制，得到低密度靶材素坯；S6、低密度靶材素坯进行脱脂‑烧结一体化工艺处理，得到用于RPD薄膜的氧化锡镓陶瓷靶材。
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公开(公告)号：CN117776680A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311826192.7
申请日：2023-12-28
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
摘要： 本发明实施例公开了透明氧化镁陶瓷靶材及其制备方法；制备方法包括步骤：S1、纳米氧化镁粉体进行喷雾造粒；S2、喷雾造粒得到的粉体在冷等静压下成型为靶材素坯；S3、靶材素坯在设定条件下烧结；S4、烧结后的靶材素坯进行梯度退火处理，得到透明氧化镁靶材。本发明实施例公开的透明氧化镁陶瓷靶材的制备方法，制备得到了相对密度在可达99.9％以上的透明氧化镁陶瓷靶材。
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公开(公告)号：CN118359429A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410293407.1
申请日：2024-03-14
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00 , C23C14/08 , C23C14/32
摘要： 本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及低密度氧化镓掺杂氧化锡反应等离子体沉积靶材的制备方法。该方法先将SnO2、Ga2O3、分散剂和去离子水混合并进行一次球磨混合，然后烘干、粉碎、过筛并在1000～1500℃下进行1～10h煅烧，接着将得到的煅烧粉体、分散剂和去离子水混合球磨，然后加入粘结剂球磨得到浆料，接下来将浆料干燥、造粒，并进行二次压制，最后进行无压氧气氛阶段烧结，得氧化锡镓RPD靶材。本发明成功制备了RPD镀膜所需氧化锡镓靶材，其密度及组织可控。
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公开(公告)号：CN118270829A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410409361.5
申请日：2024-04-07
IPC分类号： C01G15/00
摘要： 本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得棒状氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。
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公开(公告)号：CN116856010A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310857189.5
申请日：2023-07-13
申请人： 郑州大学 , 中原关键金属实验室 , 西北稀有金属材料研究院宁夏有限公司
IPC分类号： C25C3/02
摘要： 本发明公开了一种废铍电化学回收的方法，技术方案是，先构建含铍氟化物或含铍氟氯化物熔盐体系，然后以废铍为阳极，在保护气气氛下进行电化学选择性溶解‑沉积，得到阴极产物，最后清除阴极产物的夹盐，得到高纯金属铍。相较于火法重熔等，本发明电化学反应回收的反应驱动力大，可断开废铍中的Be‑O等键能大的键，破除火法难重熔的难题，同时电化学回收控制精度高。本申请在熔盐体系中加入铍离子，并控制铍盐浓度，在电化学过程中保持铍离子浓度相对稳定，便于稳定电解，若初始无铍离子，则难以阴极沉积铍。本发明实现废铍再利用，既实现了废铍无害化，又实现了其资源化，产生了经济效益同时，弥补了我国铍资源的不足。
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公开(公告)号：CN115745574B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202211445828.9
申请日：2022-11-18
IPC分类号： C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/622 , C04B35/626 , C04B35/64 , C23C14/08 , C23C14/35
摘要： 本发明属于无机材料制备技术领域，涉及高致密无开裂细晶铟锡氧化物管状靶材的制备方法，包括如下步骤：以氧化铟、氧化锡为原料，加入纯水和分散剂，在球磨机中进行混合球磨后加入消泡剂，搅拌均匀，转入砂磨机中并加入粘结剂进行砂磨，得浆料；浆料用喷雾法制备造粒粉；将造粒粉填充入管状靶材模具中；采用冷等静压成型技术获得素坯；使用两步细晶烧结法对素坯进行烧结。本发明采用两步细晶烧结法得到的管状靶材致密度可以达到99.8%以上，晶粒尺寸小于5μm，有效解决了管状靶材高致密的同时晶粒不易控制的问题。
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公开(公告)号：CN118666571A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410714191.1
申请日：2024-06-04
IPC分类号： C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/08
摘要： 本发明提供了一种高致密氧化镁靶材及其制备方法和应用，属于新材料制造及应用技术领域。本发明通过将镁源粉体原料、溶剂、功能助剂混合后砂磨得到浆料；然后将浆料通过压力注浆、保压得到靶材素坯；最后将靶材素坯依次经过干燥处理、脱脂烧结得到高致密氧化镁陶瓷靶材。在制备过程中不使用烧结助剂、不采用热压方法，没有烧结助剂和碳污染导致的纯度不足问题，同时脱脂和烧结步骤相结合简化了制备过程，在常压下进行即可降低了成本和操作难度，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN118256868A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363410.6
申请日：2024-03-28
IPC分类号： C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B29/22 , C30B23/00 , H01B5/14 , H01B13/00
摘要： 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。
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