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公开(公告)号：CN119913463A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510118137.5
申请日：2025-01-24
IPC: C23C14/34 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明实施例公开了一种晶粒细小均匀的ICO溅射靶材及其制备方法；方法包括：原料粉体制备成高密度靶材素坯，靶材素坯进行脱脂处理；脱脂温度为500～750℃，升温速率为0.5～2℃/min，保温时间为180～300min；继续升温至第一烧结温度进行第一次烧结；第一烧结温度为1450～1600℃，升温速率为2～4℃/min，烧结时间为20～180min；降温至第二烧结温度进行第二次烧结；第二烧结温度比第一烧结温度低10～100℃，降温速率为2～5℃/min，烧结时间为1200～1800min；降温至第三烧结温度进行第三次烧结；第三烧结温度为800～1000℃，降温速率为0.5～2℃/min，烧结时间为180～360min；以降温速率2～5℃/min降温至200℃；然后自然降温至室温，得到晶粒细小、均匀的ICO靶材。
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公开(公告)号：CN118666571A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410714191.1
申请日：2024-06-04
IPC: C04B35/053 , C04B35/622 , C04B35/638 , C04B35/64 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供了一种高致密氧化镁靶材及其制备方法和应用，属于新材料制造及应用技术领域。本发明通过将镁源粉体原料、溶剂、功能助剂混合后砂磨得到浆料；然后将浆料通过压力注浆、保压得到靶材素坯；最后将靶材素坯依次经过干燥处理、脱脂烧结得到高致密氧化镁陶瓷靶材。在制备过程中不使用烧结助剂、不采用热压方法，没有烧结助剂和碳污染导致的纯度不足问题，同时脱脂和烧结步骤相结合简化了制备过程，在常压下进行即可降低了成本和操作难度，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN118497673A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410628851.4
申请日：2024-05-21
Abstract: 本发明实施例公开了用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜及其制备方法；方法包括，以铯钨青铜靶材为溅射靶材，以平面基材为基底，在磁控溅射装置内进行溅射镀膜，在基底材料得到铯钨青铜薄膜，对铯钨青铜薄膜进行热处理，得到用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，其中，热处理温度设置在200～450℃之间。热处理为在溅射镀膜过程中，对基底进行加热，热处理过程与溅射成膜过程同步进行；或者在溅射镀膜结束后，对得到的铯钨青铜薄膜进行热处理。得到的可见光透过率高、近红外光阻隔率高、紫外阻隔率高的高质量铯钨青铜薄膜作为应用于近红外屏蔽膜的铯钨青铜薄膜，还能制作成铯钨青铜薄膜基复合膜；在近红外屏蔽膜领域有良好应用前景。
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公开(公告)号：CN118256868A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410363410.6
申请日：2024-03-28
IPC: C23C14/08 , C04B35/453 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/54 , C30B29/22 , C30B23/00 , H01B5/14 , H01B13/00
Abstract: 本发明实施例公开了稀土掺杂AZO多晶薄膜材料及其制备方法；多晶薄膜材料由稀土、氧化铝对氧化锌进行共掺杂得到，其中，稀土的含量为0.1～5wt.％，氧化铝的含量为2wt.％，氧化锌的含量为93～98wt.％；多晶薄膜材料的厚度为50～500nm，可见光透过率为85～95％，电阻率为1×10‑4～9×10‑4Ω·cm；制备方法包括步骤：S1、稀土粉体、氧化铝粉体与氧化锌粉体混合，得到混合粉体；S2、混合粉体压制、烧结得到靶材；S3、以得到的靶材为溅射靶材，在衬底上沉积得到系统掺杂AZO多晶薄膜材料。AZO多晶薄膜材料性能优异，且稳定性好，可以媲美ITO材料，满足光伏电池、薄膜显示器等领域的应用要求；且制备方法简单，工艺参数易于调控，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN118145696A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410287206.0
申请日：2024-03-13
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明实施例公开的均匀分散的球状氧化镓粉体的制备方法，包括步骤：S1、溶解金属镓，得到设定浓度的含镓溶液；S2、配置包含碳酸氢铵和氨水的混合溶液，其中，碳酸氢铵的摩尔浓度为1～2M，氨水的摩尔浓度为2～3M；S3、将步骤S2得到的混合溶液逐步滴加到步骤S1得到的含镓溶液中，至溶液pH为7.5～9.0，然后溶液在室温下老化；S4、老化后的溶液离心并洗涤，得到沉淀物；S5、步骤S4得到的沉淀物烘干，得到前驱体羟基氧化镓；S6、前驱体羟基氧化镓在710～920℃下烧结，得到球状氧化镓粉体。利用碳酸氢铵和氨水混合液作为沉淀剂，利用碳酸氢铵在沉淀过程中分解产生的氨气和二氧化碳气体，能够有效降低沉淀形成过程中的团聚情况，提高球状氧化镓粉体粒度的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118063206A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410243188.6
申请日：2024-03-04
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C23C14/22
Abstract: 本发明实施例公开的用于RPD薄膜的氧化钽掺杂氧化锡靶材的制备方法，包括步骤：S1、氧化锡、氧化钽、分散剂、去离子水按照设定比例进行一次球磨混合，得到一次混合浆料；S2、将一次混合浆料烘干，然后粉碎成粉料，选取粒径小于80～200目的粉料；S3、步骤S2得到的粉料进行煅烧处理，收集煅烧粉体；S4、煅烧粉体、粘结剂、分散剂和去离子水按照设定比例进行第二次球磨混合，得到二次浆料；S5、将二次浆料进行喷雾造粒，得到球形颗粒粉体；S6、球形颗粒粉体模压成型，得到靶材素坯；S7、靶材素坯进行等静压压制，得到低密度靶材素坯；S8、低密度靶材素坯进行烧结，得到用于RPD薄膜的氧化钽掺杂氧化锡靶材。
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公开(公告)号：CN117886319A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410072857.8
申请日：2024-01-17
Abstract: 本发明公开了一种回收废脱硝催化剂制备中高熵二维碳化物纳米材料的方法。该方法包括：废脱硝催化剂粉末化；将废脱硝催化剂粉末、氧化铝粉末、石墨粉末按设定摩尔比混合，混合过程中添加PVB粘结剂，然后压制成多孔块体；以多孔块体作为第一阴极、石墨电极作为第一阳极，与熔盐电解质组成第一电解体系；向第一电解体系中通入氩气作为保护气氛，设置第一电解体系的电解温度、电解电压进行电解，第一阴极还原生成中高熵MAX陶瓷相；以生成中高熵MAX陶瓷相的第一阴极作为第二阳极、第一阳极作为第二阴极，与熔盐电解质组成第二电解体系；设置第二电解体系的电解温度、电解电压进行电解，中高熵MAX陶瓷相发生电化学刻蚀，得到中高熵二维碳化物纳米材料。
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公开(公告)号：CN119592831A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411777028.6
申请日：2024-12-05
Abstract: 本发明公开了一种铌钛合金的制备方法，包括：S1、按设定比例混合氧化铌粉体、钛化合物粉体、金属还原剂粉体，得到混合料；S2、将混合料在保护性气氛中进行热还原反应，冷却得到含有还原副产物的铌钛合金；S3、将含有还原副产物的铌钛合金酸洗浸出、过滤后得到铌钛合金。本发明实施例公开的方法，直接以铌化合物、钛化合物为原料，金属提取与合金化同时进行，具有工艺流程短的优点；利用金属热还原的热效应，促进两种难熔金属的扩散，强化合金化效果，避免了传统工艺中长时间高温高压的合金化工序；还原出的铌、钛伴随化学反应的进行迅速合金化，避免了两种金属单质密度差导致的偏析，可通过改变工艺参数调控得到合金的形态与均匀性。
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公开(公告)号：CN118255385A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410407494.9
申请日：2024-04-07
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域，公开了一种丝状纳米氧化镓及其制备方法，用以提出一种新的丝状纳米氧化镓的制备方法。本发明以碳酸氢钠为沉淀剂，通过将其滴加至镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温法、降温处理后得到丝状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得丝状纳米氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种高长径比丝状纳米粉末材料。
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公开(公告)号：CN118206374A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410056056.2
申请日：2024-01-15
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C23C14/35 , C23C14/08
Abstract: 本发明公开了用于节能玻璃领域的铯钨青铜陶瓷靶材及其制备方法。该制备方法包括：将铯钨青铜粉末预压制成型得到铯钨青铜初生坯；将铯钨青铜初生坯冷等静压得到铯钨青铜次生坯；将铯钨青铜次生坯在保护气氛下烧结得到铯钨青铜靶坯，铯钨青铜靶坯的平均粒径为1～15μm，致密度大于85％，纯度大于99.9％；将铯钨青铜靶坯机加工得到铯钨青铜陶瓷靶材。制备得到的铯钨青铜陶瓷靶材微观组织均匀、晶粒细小均匀、致密度高，成分均匀、纯度大于99.9％、满足后续磁控溅射镀膜的要求，成本低，且采用本发明实施例公开的铯钨青铜陶瓷靶材磁控溅射得到的铯钨青铜薄膜组织均匀，成分均匀，近红外光屏蔽效果好，可见光透过率高，使用寿命长。
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