本发明公开一种半导体结构、太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，通过调整N、P型掺杂多晶硅层的消光系数k分别得到致密性不同的N、P型掺杂多晶硅层，间接调整电极浆料对N、P型掺杂多晶硅层蚀刻深度，使得电极最终停留在N、P型掺杂多晶硅层中的深度适中，提高太阳能电池的工作性能。太阳能电池包括半导体基底、P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底包括第一区域和第二区域。P型掺杂多晶硅层至少形成在第一区域上。N型掺杂多晶硅层至少形成在第二区域上。N型掺杂多晶硅层的至少部分区域和P型掺杂多晶硅层的至少部分区域相互间隔设置。N型掺杂多晶硅层的消光系数k大于P型掺杂多晶硅层的消光系数k。