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公开(公告)号：CN118825109A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410958698.1
申请日：2024-07-17
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池、光伏组件和背接触电池的制作方法，涉及太阳能电池技术领域，以解决当利用背接触电池制作形成的光伏组件表面覆盖遮挡物时，光伏组件产生热斑效应，影响光伏组件性能的问题。所述背接触电池包括：半导体基底的第一面包括第一区域、间隔区域和第二区域。第一掺杂半导体层至少设置于第一区域，第二掺杂半导体层至少设置于第二区域，第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层的导电类型相反。导电通道设置于间隔区域，导电通道电连接位于第一区域的第一掺杂半导体层和位于第二区域的第二掺杂半导体层，位于第一区域的第一掺杂半导体层的厚度以及位于第二区域的第二掺杂半导体层的厚度均大于导电通道的厚度。
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公开(公告)号：CN118522807A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410392983.1
申请日：2024-04-01
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/20
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅衬底；第一导电层，位于第一区域上；第一导电层包括：非晶硅部分和晶化硅部分，晶化硅部分包括微晶硅部分；第一导电层中非晶硅部分的体积占比，大于或等于1％，小于或等于22％，且晶化硅部分中微晶硅部分的体积占比为40％至70％。第一导电层中的非晶硅部分，在阴天等低光照天气吸光效果更好，硅衬底背光侧通常处于低光照或弱光照的光照条件下，第一导电层中的非晶硅部分在硅衬底背光侧的光照较弱场景下吸光效果更好，通过与第一导电层中微晶硅的配合，该背接触太阳能电池短路电流、钝化性能和光电转换效率较高，提升了其电池性能。
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公开(公告)号：CN118522720A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410572012.5
申请日：2024-05-09
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/544 , H01L21/67 , H01L31/18 , H01L31/04
摘要： 本申请公开了一种光伏组件、标识结构、太阳能电池及其制备方法，标识结构，包括硅基底，所述硅基底的第一表面层叠有第一半导体层，所述第一半导体层包括非晶部分和晶化部分，晶化部分中包括微晶部分，在所述第一半导体层中，所述非晶部分的体积占比为大于或等于1％，小于等于22％。本申请提供的标识结构，膜色稳定，当其应用在太阳能电池中时，可以实现图形化对准，太阳能电池的良率较高。
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公开(公告)号：CN117637892B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410109820.8
申请日：2024-01-26
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对的第一侧和第二侧；P型掺杂多晶硅层；位于硅基底的第一侧的第一区域；N型掺杂多晶硅层；位于硅基底的第一侧的第二区域；第一区域异于第二区域；P型掺杂多晶硅层的厚度，与N型掺杂多晶硅层的厚度的比值为：1至2。本发明中，P型掺杂多晶硅层的厚度较大，可以提升P型掺杂多晶硅层的钝化效果。P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层均可以针对其所对应的掺杂浓度、钝化效果等，分别设置对应的厚度，不仅可以使得钝化效果、掺杂浓度均达到较优的效果，而且还可以节省材料。
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公开(公告)号：CN117637892A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410109820.8
申请日：2024-01-26
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224
摘要： 本发明提供了一种背接触太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。背接触太阳能电池包括：硅基底，硅基底具有相对的第一侧和第二侧；P型掺杂多晶硅层；位于硅基底的第一侧的第一区域；N型掺杂多晶硅层；位于硅基底的第一侧的第二区域；第一区域异于第二区域；P型掺杂多晶硅层的厚度，与N型掺杂多晶硅层的厚度的比值为：1至2。本发明中，P型掺杂多晶硅层的厚度较大，可以提升P型掺杂多晶硅层的钝化效果。P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层均可以针对其所对应的掺杂浓度、钝化效果等，分别设置对应的厚度，不仅可以使得钝化效果、掺杂浓度均达到较优的效果，而且还可以节省材料。
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公开(公告)号：CN118263349B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410684958.0
申请日：2024-05-30
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种半导体结构、太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，通过调整N、P型掺杂多晶硅层的消光系数k分别得到致密性不同的N、P型掺杂多晶硅层，间接调整电极浆料对N、P型掺杂多晶硅层蚀刻深度，使得电极最终停留在N、P型掺杂多晶硅层中的深度适中，提高太阳能电池的工作性能。太阳能电池包括半导体基底、P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底包括第一区域和第二区域。P型掺杂多晶硅层至少形成在第一区域上。N型掺杂多晶硅层至少形成在第二区域上。N型掺杂多晶硅层的至少部分区域和P型掺杂多晶硅层的至少部分区域相互间隔设置。N型掺杂多晶硅层的消光系数k大于P型掺杂多晶硅层的消光系数k。
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公开(公告)号：CN118571966A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410954329.5
申请日：2024-07-17
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/02 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本申请公开了一种太阳能电池片、太阳能电池片的制备方法及光伏组件，属于光伏技术领域。太阳能电池片包括基底，基底具有相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括间隔设置的第一区域和第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域；第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层设置于第一区域的表面上或者至少部分嵌设于第一区域的表面内，第二掺杂层设置于第二区域的表面上或者至少部分嵌设于第二区域的表面内，第二掺杂层与第一掺杂层的极性相反；介质层和导电路径层，沿远离基底的方向，介质层和导电路径层依次叠置于第三区域，介质层阻隔第一掺杂层和第二掺杂层，导电路径层连接部分第一掺杂层和部分第二掺杂层。
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公开(公告)号：CN118156327B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410216919.8
申请日：2024-02-27
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及其制造方法，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池中，导电类型相反的第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间的漏电风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂半导体层、第二掺杂半导体层、第一介质层和第二介质层。至少部分第一介质层和至少部分第二介质层沿第一区域和第二区域的排布方向层叠设置在第一掺杂半导体层和第二掺杂半导体层之间，至少部分第一介质层与第一掺杂半导体层接触，至少部分第二介质层与第二掺杂半导体层接触；第一介质层和第二介质层的材料不同；第一介质层和第二介质层所构成的结构用于将第一掺杂半导体层的至少部分区域和第二掺杂半导体层的至少部分区域电性隔离开。
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公开(公告)号：CN118522803A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410175657.5
申请日：2024-02-07
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种背接触电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，以降低背接触电池的反向击穿电压的同时，有效控制背接触电池的漏电损耗。所述背接触电池包括：半导体衬底、第一掺杂区、第二掺杂区和至少一个导电半导体结构。第一掺杂区和第二掺杂区交替间隔分布在半导体衬底的背光面一侧。每个导电半导体结构至少部分位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，且第一掺杂区的仅部分区域和第二掺杂区的仅部分区域分别与至少一个导电半导体结构电性接触。位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的间隔区域的宽度为D1。沿间隔区域的延伸方向，导电半导体结构的宽度为W，且0.5D1≤W≤6D1。
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公开(公告)号：CN118263349A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410684958.0
申请日：2024-05-30
申请人： 隆基绿能科技股份有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/18
摘要： 本发明公开一种半导体结构、太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，通过调整N、P型掺杂多晶硅层的消光系数k分别得到致密性不同的N、P型掺杂多晶硅层，间接调整电极浆料对N、P型掺杂多晶硅层蚀刻深度，使得电极最终停留在N、P型掺杂多晶硅层中的深度适中，提高太阳能电池的工作性能。太阳能电池包括半导体基底、P型掺杂多晶硅层和N型掺杂多晶硅层。半导体基底包括第一区域和第二区域。P型掺杂多晶硅层至少形成在第一区域上。N型掺杂多晶硅层至少形成在第二区域上。N型掺杂多晶硅层的至少部分区域和P型掺杂多晶硅层的至少部分区域相互间隔设置。N型掺杂多晶硅层的消光系数k大于P型掺杂多晶硅层的消光系数k。
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