本发明涉及一种半导体装置及其制备方法。所述半导体装置，包括：水平层，其与下部结构间隔开并且在平行于所述下部结构的方向上延伸；垂直导电线，其在垂直于所述下部结构的方向上延伸并耦接至所述水平层的一端；数据存储元件，其耦接至所述水平层的另一端；以及水平导电线，其在与所述水平层交叉的方向上延伸，其中所述水平导电线包括：第一功函数电极；第二功函数电极，其与所述垂直导电线相邻并且具有比所述第一功函数电极低的功函数；第三功函数电极，其具有比所述第一功函数电极低的功函数；第一阻挡层，其在第一功函数电极和第三功函数电极之间；以及第二阻挡层，其在第一功函数电极和第二功函数电极之间。