发明公开
- 专利标题: 一种高强高导铸造硅铝合金及其制备方法
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申请号: CN202410422950.7申请日: 2024-04-09
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公开(公告)号: CN118291820A公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 周舸 , 邢全义 , 赵堃 , 张浩宇 , 王新 , 车欣 , 张思倩 , 陈立佳
- 申请人: 沈阳工业大学
- 申请人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人: 沈阳工业大学
- 当前专利权人地址: 辽宁省沈阳市经济技术开发区沈辽西路111号
- 代理机构: 北京锺维联合知识产权代理有限公司
- 代理商 原春香
- 主分类号: C22C21/02
- IPC分类号: C22C21/02 ; C22F1/043 ; C22C1/03
摘要:
本发明提供了一种高强高导铸造硅铝合金,包括以下质量百分比的元素组分:Si 7%‑9%,Mg 0.2%‑0.8%,Fe 0.3%‑0.6%,Sr 0.02%‑0.04%,余量为Al和不可避免的杂质;所述铸造硅铝合金中包含以下合金组织:共晶硅相、Mg2Si相和AlFeSi相。在本发明中,Mg2Si相和AlFeSi相的存在能够提高上述技术方案所述硅铝合金铸件的电导率和强度;Sr的加入可以改变共晶硅的形貌,由粗大的板条状,变为尖端较为圆滑的纤维状分布,从而降低对电子的散射作用,可以大大提高合金的电导率。