本申请公开了一种金属诱导影响下制备晶化硅薄膜的方法，至少包括如下有益效果：金属诱导法制备晶化硅薄膜的过程中，首先将铝薄膜沉积在Si(100)衬底表面，通过改变铝沉积时的衬底温度就可以对后续晶化硅薄膜的微观组织加以调控，然后再将非晶硅薄膜沉积在铝薄膜表面，随后进行管式炉退火，铝与非晶硅之间会发生反应，铝充当了一种催化剂，导致非晶硅薄膜晶化的退火温度降低，可以形成择优取向大于97％以上的晶化硅薄膜，降低了制备单晶硅薄膜的成本。