发明公开
- 专利标题: 一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置
-
申请号: CN202410409614.9申请日: 2024-04-07
-
公开(公告)号: CN118292103A公开(公告)日: 2024-07-05
- 发明人: 胡动力 , 王人松 , 贾新旺 , 岳增可
- 申请人: 连科半导体有限公司
- 申请人地址: 江苏省无锡市锡山区锡北镇泾虹路15号
- 专利权人: 连科半导体有限公司
- 当前专利权人: 连科半导体有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省无锡市锡山区锡北镇泾虹路15号
- 代理机构: 无锡亿联盛知识产权代理有限公司
- 代理商 李晶晶
- 主分类号: C30B25/14
- IPC分类号: C30B25/14 ; C30B29/36
摘要:
本发明属于碳化硅技术领域,具体的说是一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置,包括石英方管;所述石英方管的内部开设有五个通道;所述石英方管的出气端设置有反应腔;所述石英方管与反应腔之间通过连接单元连通;所述反应腔的内部底面固接有固定单元;所述固定单元上固定有衬底片;所述石英方管的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2;通过将碳源气体和硅源气体进行分隔单独进气的方式,避免了碳源气体和硅源气体在刚进入反应腔便由于高温发生大量反应,从而导致反应腔前端沉积大量碳化硅颗粒;通过减少反应腔前端碳化硅沉积,继而可降低碳化硅颗粒脱落概率,延长设备的维护周期提高设备利用率。
IPC分类: